Фосфід галію (GaP) — непрямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 2,26 еВ, на вигляд блідо помаранчева речовина, безколірна й нерозчинна у воді, що використовується здебільшого для виробництва червоних, оранжевих та зелених світлодіодів.
| Фосфід галію | |
|---|---|
| Назва за IUPAC | gallanylidynephosphane |
| Ідентифікатори | |
| Номер CAS | 12063-98-8 |
| PubChem | 82901 |
| Номер EINECS | 235-057-2 |
| RTECS | LW9675000 |
| SMILES | [Ga]#P |
| InChI | 1/Ga.P/rGaP/c1-2 |
| Властивості | |
| Молекулярна формула | GaP |
| Молярна маса | 100,697 г/моль |
| Зовнішній вигляд | блідо-оранжеве тверде тіло |
| Запах | без запаху |
| Густина | 4,138 г/см3 |
| Тпл | 1477 |
| Розчинність (вода) | нерозчинний |
| Показник заломлення (nD) | 3,02 (2.48 µм), 3,19 (840 нм), 3,45 (550 нм), 4,30 (262 нм) |
| Структура | |
| Кристалічна структура | цинкової обманки |
| T2d-F-43m | |
| Координаційна геометрія | тетраедральна |
| Небезпеки | |
| Індекс ЄС | не числиться |
| NFPA 704 | 1 3 1 |
| Пов'язані речовини | |
| Інші аніони | нітрид галію арсенід галію антимонід галію |
| Інші катіони | фосфід алюмінію фосфід індію |
| Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа) | |
| Інструкція з використання шаблону | |
| Примітки картки |
Фосфід галію має кристалічну структуру типу цинкової обманки. Для отримання провідності n-типу зазвичай використовується легування сульфуром та телуром, а для отримання провідності p-типу — цинком.
| Це незавершена стаття з фізики. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |