Карбід кремнію Карбі д кре мнію також карбору нд бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем Зразок карбіду кремніюІн

Карбі́д кре́мнію, також карбору́нд — бінарна неорганічна сполука кремнію з вуглецем.

Карбід кремнію
Зразок карбіду кремнію
Інші назви	карборунд муассаніт
Ідентифікатори
Номер CAS	409-21-2
PubChem	9863
Номер EINECS	206-991-8
Назва MeSH	Silicon+carbide
ChEBI	29390
RTECS	VW0450000
SMILES	[C-]#[Si+]
InChI	InChI=1S/CSi/c1-2
Номер Гмеліна	13642
Властивості
Молекулярна формула	CSi
Молярна маса	40,1 г/моль
Молекулярна маса	39,976926533 г/моль
Зовнішній вигляд	безколірні кристали
Густина	3,21 г·см⁻³ (усі політипи)
Т_пл	2730
Показник заломлення (n_D)	2,55 (інфрачервона область; усі політипи)
Небезпеки
Класифікація ЄС	не числиться
NFPA 704	0 1 0
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Загальний опис Редагувати

Хімічна формула SiC. У природі зустрічається у вигляді надзвичайно рідкісного мінералу — муассаніту. Порошок карбіду кремнію був отриманий в 1893 році. Використовується як абразив, напівпровідник, штучний дорогоцінний камінь.

Існує приблизно 250 кристалічних форм карбіду кремнію.

Поліморфізм SiC характеризується великою кількістю схожих кристалічних структур, які називають політипами. Вони є варіаціями однієї й тієї ж хімічної сполуки, які ідентичні у двох вимірах, але відрізняються у третьому. Таким чином, їх можна розглядати як шари, складені стовпчиком у певній послідовності.

Структура Редагувати

Примітки Редагувати

Patnaik, P. (2002). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. ISBN 0-07-049439-8.
Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архів оригіналу за 24 квітня 2012. Процитовано 6 червня 2009.
Cheung, Rebecca (2006). . Imperial College Press. с. 3. ISBN 1860946240. Архів оригіналу за 4 липня 2014. Процитовано 2 травня 2011.
Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463.

Посилання Редагувати

^(англ.)
^(англ.)

Це незавершена стаття про неорганічну сполуку.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.

[1] Patnaik, P. (2002). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. ISBN 0-07-049439-8.

[ioffe-2] Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архів оригіналу за 24 квітня 2012. Процитовано 6 червня 2009.

[3] Cheung, Rebecca (2006). . Imperial College Press. с. 3. ISBN 1860946240. Архів оригіналу за 4 липня 2014. Процитовано 2 травня 2011.

[jap-4] Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463.