www.wikidata.uk-ua.nina.az

КМОН У Вікіпедії є статті про інші значення цього терміна значення структура або транзистор комплементарна структура мет

КМОН

У Вікіпедії є статті про інші значення цього терміна: КМОН (значення).

КМОН структура або КМОН транзистор (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) — являє собою вид технічного процесу виготовлення польового МОН — транзистора (англ. MOSFET), що використовує симетричні комплементарні пари МОН транзисторів p-типу та n-типу для реалізації логічних функцій. Технологія КМОН використовується для побудови інтегральних мікросхем (ІС), таких як мікропроцесори, мікроконтролери, мікросхеми пам'яті та інші цифрові логічні схеми. Технологія КМОН використовується також для аналогових схем, таких як датчики зображення, перетворювачі даних, радіочастотні схеми та високо інтегровані приймачі для багатьох типів зв'язку.

Статичний КМОН-інвертор

Основною особливістю схем КМОН в порівнянні з біполярними технологіями є дуже мале енергоспоживання в статичному режимі (здебільшого можна вважати, що енергія споживається тільки під час перемикання станів) у випадку послідовного їх з'єднання (наприклад, у вигляді інвертора, чи якоїсь іншої логічної схеми).

Другою особливістю структури КМОН в порівнянні з іншими МОН-структурами (N-МОН або англ. NMOS , P-МОН або англ. PMOS) є наявність як n-, так і p-канальних польових транзисторів на одній напівпровідниковій підкладці; як наслідок, КМОН-схеми мають вищу швидкодію та менше енергоспоживання, проте при цьому характеризуються складнішим технологічним процесом виготовлення і меншою щільністю упаковки.

Історія Редагувати

Спрощена покрокова схема процесу виготовлення КМОН-інвертора за мікроелектронною технологією. Примітка: в реальних пристроях контакти затвора, стоку й витоку зазвичай не лежать в одній площині, масштаб спотворено для наочності

МДН транзистор (або МОН транзистор або англ. MOSFET) винайшли Мохамед М. Атала та Доун Канг у Bell Labs у 1959 році. Спочатку було два типи процесу виготовлення: P-МОН (p-тип МОН) та N-МОН (n-тип МОН). Обидва типи були розроблені Аталою та Кангом, коли вони спочатку винайшли МОН-польовий транзистор, виготовляючи як p-канальні, так і n-канальні транзистори за 20 мкм процесом в 1960 році. Хоча у Bell Labs спочатку не помічали КМОН транзисторів та ігнорували їх віддаючи першість біполярним транзисторам, винахід МДН транзистора викликало значний інтерес у Fairchild Semiconductor . Базуючись на роботі Атали, Са Чжітан впровадив технологію МОН для Fairchild Semiconductor з його контрольованим МОН — тетродом, виготовленим наприкінці 1960 року.

Са Чжітан та Френк Ванлас розробили новий тип логіки на МДН транзисторах, що поєднує у собі обидва процеси P-МОН і N-МОН, що називається комплементарною парою МОН (англ. CMOS). У лютому 1963 р. Вони опублікували свій винахід у науковій роботі . Пізніше Ванлас подав документи на патент США 3 356 858 схеми КМОН у червні 1963 року, який був виданий у 1967 році. Як у дослідницькій роботі, так і в патенті було описано виготовлення приладів КМОН на основі термічного окислення кремнійорганічної підкладки для отримання шару діоксиду кремнію, розташованого між точкою з'єднання стоку та витоку транзисторів.

КМОН був комерціалізований в кінці 1960-х. Цю технологію було прийнято для проектування інтегральних мікросхем (ІС), розробляючи схеми КМОН для комп'ютера ВПС у 1965 році, а потім 288- бітний чіп пам'яті CMOS SRAM в 1968 році. Також КМОН використовувався для інтегральних мікросхем серії 4000 в 1968 році, починаючи з 20 мкм процесу виготовлення напівпровідників. Згодом, поступово процес масштабували до 10 мкм протягом наступних кількох років.

Американська індустрія напівпровідників спочатку не помічала технологію КМОН, віддаючи перевагу N-КМОН, яка була на той час більш розвиненою. Однак КМОН було швидко прийнято і вдосконалено японськими виробниками напівпровідників завдяки низькому енергоспоживанню, що призвело до зростання японської промисловості напівпровідників. У 1969 році Toshiba розробила C²MOS (Clocked CMOS), технологію з меншим споживанням енергії та більшою швидкодією, ніж звичайний CMOS. Toshiba використовувала свою технологію C²MOS у розробці мікросхеми для кишенькового калькулятора Sharp EL-801 Elsimini, розробленого в 1971 році і випущеного в 1972 році Suwa Seikosha (нині Seiko Epson) розпочала розробку мікросхеми CMOS для кварцових годинників Seiko в 1969 році, а в 1971 році Seiko розпочала серійне виробництво годинника Analog Quartz 38SQW. Першим масовим електронним продуктом з технологією CMOS був цифровий годинник Hamilton Pulsar «Wrist Computer», випущений у 1970 році. Через низьке енергоспоживання логіка CMOS широко застосовується для калькуляторів і годинників з 1970-х років.

Найпершими мікропроцесорами на початку 1970-х були процесори PMOS, які спочатку домінували в ранній мікропроцесорній галузі. До кінця 1970-х мікропроцесори NMOS випередили процесори PMOS. Однак процесори CMOS не стали домінуючими аж до 1980-х.

CMOS спочатку був повільнішим за логіку N-МОН, тому N-МОН в 1970-х роках широко використовувався для комп'ютерів. Intel 5101 (1 kb SRAM) чіп пам'яті CMOS (1974) мав час доступу 800 нс, тоді як найшвидший чіп NMOS на той час, Intel 2147 (4 kb SRAM) мікросхема пам'яті HMOS (1976), час доступу 55/70 нс. У 1978 р. Дослідницька команда Hitachi під керівництвом Тошіакі Масухари представила процес Hi-CMOS у мікросхемі пам'яті HM6147 (4 kb SRAM), виготовленою за 3 мкм процесом . Чіп Hitachi HM6147 зміг зрівнятися за швидкодією (55/70 нс доступ) з чіпом Intel 2147 HMOS, однак HM6147 витрачав значно менше енергії (15 мА), проти Intel 2147 (110 мА). Маючи однакову продуктивність та набагато менше енергоспоживання, процес C²MOS зрештою обігнав NMOS і став найпоширенішим техпроцесом виготовлення напівпровідників для комп'ютерів у 1980-х.

У 1980-х мікропроцесори CMOS випередили мікропроцесори NMOS. Космічний корабель NASA Galileo, відправлений на орбіту Юпітера в 1989 році, використовував мікропроцесор RCA 1802 CMOS завдяки його низькому енергоспоживанню.

Компанія Intel запропонувала 1,5 мкм процес виготовлення напівпровідникових пристроїв CMOS в 1983 році. У середині 1980-х Біджан Даварі із IBM розробив високоефективну низьковольтну технологію CMOS з нанометровим техпроцесом, що дало розвиток більш швидким комп'ютерам, портативним комп'ютерам та мобільним пристроям. У 1988 році Даварі очолив команду IBM, яка продемонструвала високоефективний 250 нанометровий техпроцес CMOS.

Fujitsu комерціалізував 700 нм техпроцес CMOS в 1987 році а потім Hitachi, Mitsubishi Electric, NEC і Toshiba комерціалізували 500 нм CMOS у 1989 р. У 1993 році компанія Sony продала 350 нм CMOS-процес, в той час як Hitachi і NEC продали 250 нм CMOS. Hitachi представив 160 нм техпроцес CMOS в 1995 році, тоді Mitsubishi представила 150 нм CMOS в 1996 році, а потім Samsung Electronics представив 140 нм у 1999 р.

У 2000 році у компанії Micron Technology винайшли атомно-шарове осадження плівок діелектрика з діелектричною проникністю більшою, ніж у діоксида кремнію (High-k технологія), що призвело до розробки економічно ефективного процесу CMOS 90 нм . Toshiba та Sony розробили 65 нм техпроцес CMOS у 2002 році а потім TSMC ініціював розробку логіки CMOS з техпроцесом 45 нм у 2004 році. Розвиток технології багатошарової літографії призвів до появи 30 нм техпроцесу CMOS у 2000-х роках.

CMOS використовується в більшості сучасних мікросхем та інтегрованих схемах надвеликого рівня інтеграції (VLSI) . З 1976 по 2010 рік, процесори з найкращою продуктивністю на ват були виготовлені за CMOS технологією статичної логіки. Станом на 2019 рік, планарна CMOS-технологія все ще є найпоширенішою формою виготовлення напівпровідникових пристроїв, але поступово її замінює непланарна технологія FinFET, за якою можна виготовляти напівпровідникові прилади менше 20 нм .

Див. також Редагувати

Примітки Редагувати

  1. . Wicked Sago. Архів оригіналу за 26 вересня 2014. Процитовано 3 березня 2013. 
  2. ↑ . The Silicon Engine: A Timeline of Semiconductors in Computers. Computer History Museum. Архів оригіналу за 27 жовтня 2019. Процитовано 31 серпня 2019. 
  3. ↑ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. с. 321–3. ISBN 9783540342588. 
  4. Sah, Chih-Tang (October 1988). . Proceedings of the IEEE 76 (10): 1280–1326 (1290). ISSN 0018-9219. doi:10.1109/5.16328. Архів оригіналу за 26 липня 2020. Процитовано 26 грудня 2019. «Those of us active in silicon material and device research during 1956 – 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance, which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase.» 
  5. . Computer History Museum. Архів оригіналу за 23 липня 2019. Процитовано 6 липня 2019. 
  6. ↑ Sah, Chih-Tang; Wanlass, Frank (1963). Nanowatt logic using field-effect metal-oxide semiconductor triodes. 1963 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers VI: 32–33. doi:10.1109/ISSCC.1963.1157450. 
  7. . Архів оригіналу за 6 липня 2019. Процитовано 27 грудня 2019. 
  8. . Computer History Museum. Архів оригіналу за 23 липня 2019. Процитовано 6 липня 2019. 
  9. Lojek, Bo (2007). . Springer Science & Business Media. с. 330. ISBN 9783540342588. Архів оригіналу за 6 серпня 2020. Процитовано 27 грудня 2019. 
  10. Gilder, George (1990). Microcosm: The Quantum Revolution In Economics And Technology. Simon and Schuster. с. 144–5. ISBN 9780671705923. 
  11. . Semiconductor History Museum of Japan. Архів оригіналу за 6 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019. 
  12. . Semiconductor History Museum of Japan. Архів оригіналу за 6 липня 2019. Процитовано 6 липня 2019. 
  13. . Computer History Museum. Архів оригіналу за 10 березня 2020. Процитовано 22 липня 2019. 
  14. . Semiconductor History Museum of Japan. Архів оригіналу за 5 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019. 
  15. Kuhn, Kelin (2018). . High Mobility Materials for CMOS Applications. Woodhead Publishing. с. 1. ISBN 9780081020623. Архів оригіналу за 9 листопада 2021. Процитовано 27 грудня 2019. 
  16. ↑ . Semiconductor History Museum of Japan. Архів оригіналу за 5 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019. 
  17. . Intel. Архів оригіналу за 10 вересня 2021. Процитовано 27 червня 2019. 
  18. ↑ (PDF). Intel museum. Intel Corporation. July 2005. Архів оригіналу за August 9, 2007. Процитовано 31 липня 2007. 
  19. Masuhara, Toshiaki; Minato, Osamu; Sasaki, Toshio; Sakai, Yoshio; Kubo, Masaharu; Yasui, Tokumasa (February 1978). A high-speed, low-power Hi-CMOS 4K static RAM. 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers XXI: 110–111. doi:10.1109/ISSCC.1978.1155749. 
  20. Masuhara, Toshiaki; Minato, Osamu; Sakai, Yoshi; Sasaki, Toshio; Kubo, Masaharu; Yasui, Tokumasa (September 1978). . ESSCIRC 78: 4th European Solid State Circuits Conference - Digest of Technical Papers: 131–132. Архів оригіналу за 30 вересня 2019. Процитовано 27 грудня 2019. 
  21. Kuhn, Kelin (2018). . High Mobility Materials for CMOS Applications. Woodhead Publishing. с. 1. ISBN 9780081020623. Архів оригіналу за 9 листопада 2021. Процитовано 27 грудня 2019. 
  22. . Computer History Museum. Архів оригіналу за 10 березня 2020. Процитовано 22 липня 2019. 
  23. Gealow, Jeffrey Carl (10 серпня 1990). . CORE. Massachusetts Institute of Technology. с. 149–166. Архів оригіналу за 25 червня 2019. Процитовано 25 червня 2019. 
  24. . IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Архів оригіналу за 4 липня 2019. Процитовано 4 липня 2019. 
  25. Davari, Bijan (1988). A high-performance 0.25 micrometer CMOS technology. International Electron Devices Meeting. 
  26. Gealow, Jeffrey Carl (10 серпня 1990). . CORE. Massachusetts Institute of Technology. с. 149–166. Архів оригіналу за 25 червня 2019. Процитовано 25 червня 2019. 
  27. ↑ . STOL (Semiconductor Technology Online). Архів оригіналу за 16 січня 2017. Процитовано 25 червня 2019. 
  28. ↑ . IEEE Andrew S. Grove Award. Institute of Electrical and Electronics Engineers. Архів оригіналу за 4 липня 2019. Процитовано 4 липня 2019. 
  29. Sandhu, Gurtej; Doan, Trung T. (22 серпня 2001). . Google Patents. Архів оригіналу за 5 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019. 
  30. . Toshiba. 3 грудня 2002. Архів оригіналу за 21 квітня 2017. Процитовано 26 червня 2019. 
  31. . TSMC. Архів оригіналу за 5 лютого 2018. Процитовано 5 липня 2019. 
  32. . Semiconductor History Museum of Japan. Архів оригіналу за 5 липня 2019. Процитовано 5 липня 2019. 
  33. . Financial Planning. 3 липня 2019. Архів оригіналу за 6 липня 2019. Процитовано 6 липня 2019. 

Література Редагувати


Це незавершена стаття про електроніку.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.
Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри
Дата публікації:
U Vikipediyi ye statti pro inshi znachennya cogo termina KMON znachennya KMON struktura abo KMON tranzistor komplementarna struktura metal oksid napivprovidnik angl CMOS Complementary symmetry metal oxide semiconductor yavlyaye soboyu vid tehnichnogo procesu vigotovlennya polovogo MON tranzistora angl MOSFET sho vikoristovuye simetrichni komplementarni pari MON tranzistoriv p tipu ta n tipu dlya realizaciyi logichnih funkcij 1 Tehnologiya KMON vikoristovuyetsya dlya pobudovi integralnih mikroshem IS takih yak mikroprocesori mikrokontroleri mikroshemi pam yati ta inshi cifrovi logichni shemi Tehnologiya KMON vikoristovuyetsya takozh dlya analogovih shem takih yak datchiki zobrazhennya peretvoryuvachi danih radiochastotni shemi ta visoko integrovani prijmachi dlya bagatoh tipiv zv yazku Statichnij KMON invertorOsnovnoyu osoblivistyu shem KMON v porivnyanni z bipolyarnimi tehnologiyami ye duzhe male energospozhivannya v statichnomu rezhimi zdebilshogo mozhna vvazhati sho energiya spozhivayetsya tilki pid chas peremikannya staniv u vipadku poslidovnogo yih z yednannya napriklad u viglyadi invertora chi yakoyis inshoyi logichnoyi shemi Drugoyu osoblivistyu strukturi KMON v porivnyanni z inshimi MON strukturami N MON abo angl NMOS P MON abo angl PMOS ye nayavnist yak n tak i p kanalnih polovih tranzistoriv na odnij napivprovidnikovij pidkladci yak naslidok KMON shemi mayut vishu shvidkodiyu ta menshe energospozhivannya prote pri comu harakterizuyutsya skladnishim tehnologichnim procesom vigotovlennya i menshoyu shilnistyu upakovki Zmist 1 Istoriya 2 Div takozh 3 Primitki 4 LiteraturaIstoriya Redaguvati nbsp Sproshena pokrokova shema procesu vigotovlennya KMON invertora za mikroelektronnoyu tehnologiyeyu Primitka v realnih pristroyah kontakti zatvora stoku j vitoku zazvichaj ne lezhat v odnij ploshini masshtab spotvoreno dlya naochnostiMDN tranzistor abo MON tranzistor abo angl MOSFET vinajshli Mohamed M Atala ta Doun Kang u Bell Labs u 1959 roci Spochatku bulo dva tipi procesu vigotovlennya P MON p tip MON ta N MON n tip MON 2 Obidva tipi buli rozrobleni Ataloyu ta Kangom koli voni spochatku vinajshli MON polovij tranzistor vigotovlyayuchi yak p kanalni tak i n kanalni tranzistori za 20 mkm procesom v 1960 roci 3 Hocha u Bell Labs spochatku ne pomichali KMON tranzistoriv ta ignoruvali yih viddayuchi pershist bipolyarnim tranzistoram 3 vinahid MDN tranzistora viklikalo znachnij interes u Fairchild Semiconductor 2 Bazuyuchis na roboti Atali 4 Sa Chzhitan vprovadiv tehnologiyu MON dlya Fairchild Semiconductor z jogo kontrolovanim MON tetrodom vigotovlenim naprikinci 1960 roku 2 Sa Chzhitan ta Frenk Vanlas rozrobili novij tip logiki na MDN tranzistorah sho poyednuye u sobi obidva procesi P MON i N MON sho nazivayetsya komplementarnoyu paroyu MON angl CMOS U lyutomu 1963 r Voni opublikuvali svij vinahid u naukovij roboti 5 6 Piznishe Vanlas podav dokumenti na patent SShA 3 356 858 shemi KMON u chervni 1963 roku yakij buv vidanij u 1967 roci Yak u doslidnickij roboti tak i v patenti bulo opisano vigotovlennya priladiv KMON na osnovi termichnogo okislennya kremnijorganichnoyi pidkladki dlya otrimannya sharu dioksidu kremniyu roztashovanogo mizh tochkoyu z yednannya stoku ta vitoku tranzistoriv 7 6 KMON buv komercializovanij v kinci 1960 h Cyu tehnologiyu bulo prijnyato dlya proektuvannya integralnih mikroshem IS rozroblyayuchi shemi KMON dlya komp yutera VPS u 1965 roci a potim 288 bitnij chip pam yati CMOS SRAM v 1968 roci 8 Takozh KMON vikoristovuvavsya dlya integralnih mikroshem seriyi 4000 v 1968 roci pochinayuchi z 20 mkm procesu vigotovlennya napivprovidnikiv Zgodom postupovo proces masshtabuvali do 10 mkm protyagom nastupnih kilkoh rokiv 9 Amerikanska industriya napivprovidnikiv spochatku ne pomichala tehnologiyu KMON viddayuchi perevagu N KMON yaka bula na toj chas bilsh rozvinenoyu Odnak KMON bulo shvidko prijnyato i vdoskonaleno yaponskimi virobnikami napivprovidnikiv zavdyaki nizkomu energospozhivannyu sho prizvelo do zrostannya yaponskoyi promislovosti napivprovidnikiv 10 U 1969 roci Toshiba rozrobila C MOS Clocked CMOS tehnologiyu z menshim spozhivannyam energiyi ta bilshoyu shvidkodiyeyu nizh zvichajnij CMOS Toshiba vikoristovuvala svoyu tehnologiyu C MOS u rozrobci mikroshemi dlya kishenkovogo kalkulyatora Sharp EL 801 Elsimini rozroblenogo v 1971 roci i vipushenogo v 1972 roci 11 Suwa Seikosha nini Seiko Epson rozpochala rozrobku mikroshemi CMOS dlya kvarcovih godinnikiv Seiko v 1969 roci a v 1971 roci Seiko rozpochala serijne virobnictvo godinnika Analog Quartz 38SQW 12 Pershim masovim elektronnim produktom z tehnologiyeyu CMOS buv cifrovij godinnik Hamilton Pulsar Wrist Computer vipushenij u 1970 roci 13 Cherez nizke energospozhivannya logika CMOS shiroko zastosovuyetsya dlya kalkulyatoriv i godinnikiv z 1970 h rokiv 14 Najpershimi mikroprocesorami na pochatku 1970 h buli procesori PMOS yaki spochatku dominuvali v rannij mikroprocesornij galuzi Do kincya 1970 h mikroprocesori NMOS viperedili procesori PMOS Odnak procesori CMOS ne stali dominuyuchimi azh do 1980 h 15 CMOS spochatku buv povilnishim za logiku N MON tomu N MON v 1970 h rokah shiroko vikoristovuvavsya dlya komp yuteriv 16 Intel 5101 1 kb SRAM chip pam yati CMOS 1974 mav chas dostupu 800 ns 17 18 todi yak najshvidshij chip NMOS na toj chas Intel 2147 4 kb SRAM mikroshema pam yati HMOS 1976 chas dostupu 55 70 ns 16 18 U 1978 r Doslidnicka komanda Hitachi pid kerivnictvom Toshiaki Masuhari predstavila proces Hi CMOS u mikroshemi pam yati HM6147 4 kb SRAM vigotovlenoyu za 3 mkm procesom 16 19 20 Chip Hitachi HM6147 zmig zrivnyatisya za shvidkodiyeyu 55 70 ns dostup z chipom Intel 2147 HMOS odnak HM6147 vitrachav znachno menshe energiyi 15 mA proti Intel 2147 110 mA Mayuchi odnakovu produktivnist ta nabagato menshe energospozhivannya proces C MOS zreshtoyu obignav NMOS i stav najposhirenishim tehprocesom vigotovlennya napivprovidnikiv dlya komp yuteriv u 1980 h 16 U 1980 h mikroprocesori CMOS viperedili mikroprocesori NMOS 21 Kosmichnij korabel NASA Galileo vidpravlenij na orbitu Yupitera v 1989 roci vikoristovuvav mikroprocesor RCA 1802 CMOS zavdyaki jogo nizkomu energospozhivannyu 22 Kompaniya Intel zaproponuvala 1 5 mkm proces vigotovlennya napivprovidnikovih pristroyiv CMOS v 1983 roci 23 U seredini 1980 h Bidzhan Davari iz IBM rozrobiv visokoefektivnu nizkovoltnu tehnologiyu CMOS z nanometrovim tehprocesom sho dalo rozvitok bilsh shvidkim komp yuteram portativnim komp yuteram ta mobilnim pristroyam 24 U 1988 roci Davari ocholiv komandu IBM yaka prodemonstruvala visokoefektivnij 250 nanometrovij tehproces CMOS 25 Fujitsu komercializuvav 700 nm tehproces CMOS v 1987 roci 26 a potim Hitachi Mitsubishi Electric NEC i Toshiba komercializuvali 500 nm CMOS u 1989 r 27 U 1993 roci kompaniya Sony prodala 350 nm CMOS proces v toj chas yak Hitachi i NEC prodali 250 nm CMOS Hitachi predstaviv 160 nm tehproces CMOS v 1995 roci todi Mitsubishi predstavila 150 nm CMOS v 1996 roci a potim Samsung Electronics predstaviv 140 nm u 1999 r 27 U 2000 roci u kompaniyi Micron Technology vinajshli atomno sharove osadzhennya plivok dielektrika z dielektrichnoyu proniknistyu bilshoyu nizh u dioksida kremniyu High k tehnologiya sho prizvelo do rozrobki ekonomichno efektivnogo procesu CMOS 90 nm 28 29 Toshiba ta Sony rozrobili 65 nm tehproces CMOS u 2002 roci 30 a potim TSMC iniciyuvav rozrobku logiki CMOS z tehprocesom 45 nm u 2004 roci 31 Rozvitok tehnologiyi bagatosharovoyi litografiyi prizviv do poyavi 30 nm tehprocesu CMOS u 2000 h rokah 28 CMOS vikoristovuyetsya v bilshosti suchasnih mikroshem ta integrovanih shemah nadvelikogo rivnya integraciyi VLSI 32 Z 1976 po 2010 rik procesori z najkrashoyu produktivnistyu na vat buli vigotovleni za CMOS tehnologiyeyu statichnoyi logiki Stanom na 2019 rik planarna CMOS tehnologiya vse she ye najposhirenishoyu formoyu vigotovlennya napivprovidnikovih pristroyiv ale postupovo yiyi zaminyuye neplanarna tehnologiya FinFET za yakoyu mozhna vigotovlyati napivprovidnikovi priladi menshe 20 nm 33 Div takozh RedaguvatiBipolyarnij tranzistor Polovij tranzistor MDN tranzistor Niobat litiyu Radiacijna stijkistPrimitki Redaguvati What is CMOS Memory Wicked Sago Arhiv originalu za 26 veresnya 2014 Procitovano 3 bereznya 2013 a b v 1960 Metal Oxide Semiconductor MOS Transistor Demonstrated The Silicon Engine A Timeline of Semiconductors in Computers Computer History Museum Arhiv originalu za 27 zhovtnya 2019 Procitovano 31 serpnya 2019 a b Lojek Bo 2007 History of Semiconductor Engineering Springer Science amp Business Media s 321 3 ISBN 9783540342588 Sah Chih Tang October 1988 Evolution of the MOS transistor from conception to VLSI Proceedings of the IEEE 76 10 1280 1326 1290 ISSN 0018 9219 doi 10 1109 5 16328 Arhiv originalu za 26 lipnya 2020 Procitovano 26 grudnya 2019 Those of us active in silicon material and device research during 1956 1960 considered this successful effort by the Bell Labs group led by Atalla to stabilize the silicon surface the most important and significant technology advance which blazed the trail that led to silicon integrated circuit technology developments in the second phase and volume production in the third phase 1963 Complementary MOS Circuit Configuration is Invented Computer History Museum Arhiv originalu za 23 lipnya 2019 Procitovano 6 lipnya 2019 a b Sah Chih Tang Wanlass Frank 1963 Nanowatt logic using field effect metal oxide semiconductor triodes 1963 IEEE International Solid State Circuits Conference Digest of Technical Papers VI 32 33 doi 10 1109 ISSCC 1963 1157450 Low stand by power complementary field effect circuitry Arhiv originalu za 6 lipnya 2019 Procitovano 27 grudnya 2019 1963 Complementary MOS Circuit Configuration is Invented Computer History Museum Arhiv originalu za 23 lipnya 2019 Procitovano 6 lipnya 2019 Lojek Bo 2007 History of Semiconductor Engineering Springer Science amp Business Media s 330 ISBN 9783540342588 Arhiv originalu za 6 serpnya 2020 Procitovano 27 grudnya 2019 Gilder George 1990 Microcosm The Quantum Revolution In Economics And Technology Simon and Schuster s 144 5 ISBN 9780671705923 1972 to 1973 CMOS LSI circuits for calculators Sharp and Toshiba Semiconductor History Museum of Japan Arhiv originalu za 6 lipnya 2019 Procitovano 5 lipnya 2019 Early 1970s Evolution of CMOS LSI circuits for watches Semiconductor History Museum of Japan Arhiv originalu za 6 lipnya 2019 Procitovano 6 lipnya 2019 Tortoise of Transistors Wins the Race CHM Revolution Computer History Museum Arhiv originalu za 10 bereznya 2020 Procitovano 22 lipnya 2019 1978 Double well fast CMOS SRAM Hitachi Semiconductor History Museum of Japan Arhiv originalu za 5 lipnya 2019 Procitovano 5 lipnya 2019 Kuhn Kelin 2018 CMOS and Beyond CMOS Scaling Challenges High Mobility Materials for CMOS Applications Woodhead Publishing s 1 ISBN 9780081020623 Arhiv originalu za 9 listopada 2021 Procitovano 27 grudnya 2019 a b v g 1978 Double well fast CMOS SRAM Hitachi Semiconductor History Museum of Japan Arhiv originalu za 5 lipnya 2019 Procitovano 5 lipnya 2019 Silicon Gate MOS 2102A Intel Arhiv originalu za 10 veresnya 2021 Procitovano 27 chervnya 2019 a b A chronological list of Intel products The products are sorted by date PDF Intel museum Intel Corporation July 2005 Arhiv originalu za August 9 2007 Procitovano 31 lipnya 2007 Masuhara Toshiaki Minato Osamu Sasaki Toshio Sakai Yoshio Kubo Masaharu Yasui Tokumasa February 1978 A high speed low power Hi CMOS 4K static RAM 1978 IEEE International Solid State Circuits Conference Digest of Technical Papers XXI 110 111 doi 10 1109 ISSCC 1978 1155749 Masuhara Toshiaki Minato Osamu Sakai Yoshi Sasaki Toshio Kubo Masaharu Yasui Tokumasa September 1978 Short Channel Hi CMOS Device and Circuits ESSCIRC 78 4th European Solid State Circuits Conference Digest of Technical Papers 131 132 Arhiv originalu za 30 veresnya 2019 Procitovano 27 grudnya 2019 Kuhn Kelin 2018 CMOS and Beyond CMOS Scaling Challenges High Mobility Materials for CMOS Applications Woodhead Publishing s 1 ISBN 9780081020623 Arhiv originalu za 9 listopada 2021 Procitovano 27 grudnya 2019 Tortoise of Transistors Wins the Race CHM Revolution Computer History Museum Arhiv originalu za 10 bereznya 2020 Procitovano 22 lipnya 2019 Gealow Jeffrey Carl 10 serpnya 1990 Impact of Processing Technology on DRAM Sense Amplifier Design CORE Massachusetts Institute of Technology s 149 166 Arhiv originalu za 25 chervnya 2019 Procitovano 25 chervnya 2019 IEEE Andrew S Grove Award Recipients IEEE Andrew S Grove Award Institute of Electrical and Electronics Engineers Arhiv originalu za 4 lipnya 2019 Procitovano 4 lipnya 2019 Davari Bijan 1988 A high performance 0 25 micrometer CMOS technology International Electron Devices Meeting Gealow Jeffrey Carl 10 serpnya 1990 Impact of Processing Technology on DRAM Sense Amplifier Design CORE Massachusetts Institute of Technology s 149 166 Arhiv originalu za 25 chervnya 2019 Procitovano 25 chervnya 2019 a b Memory STOL Semiconductor Technology Online Arhiv originalu za 16 sichnya 2017 Procitovano 25 chervnya 2019 a b IEEE Andrew S Grove Award Recipients IEEE Andrew S Grove Award Institute of Electrical and Electronics Engineers Arhiv originalu za 4 lipnya 2019 Procitovano 4 lipnya 2019 Sandhu Gurtej Doan Trung T 22 serpnya 2001 Atomic layer doping apparatus and method Google Patents Arhiv originalu za 5 lipnya 2019 Procitovano 5 lipnya 2019 Toshiba and Sony Make Major Advances in Semiconductor Process Technologies Toshiba 3 grudnya 2002 Arhiv originalu za 21 kvitnya 2017 Procitovano 26 chervnya 2019 A Banner Year TSMC Annual Report 2004 TSMC Arhiv originalu za 5 lyutogo 2018 Procitovano 5 lipnya 2019 1978 Double well fast CMOS SRAM Hitachi Semiconductor History Museum of Japan Arhiv originalu za 5 lipnya 2019 Procitovano 5 lipnya 2019 Global FinFET Technology Market 2024 Growth Analysis by Manufacturers Regions Type and Application Forecast Analysis Financial Planning 3 lipnya 2019 Arhiv originalu za 6 lipnya 2019 Procitovano 6 lipnya 2019 Literatura RedaguvatiBaker R Jacob 2008 CMOS Circuit Design Layout and Simulation Revised Second Edition Wiley IEEE ISBN 978 0 470 22941 5 http CMOSedu com Arhivovano 8 lipnya 2011 u Wayback Machine Weste Neil H E Harris David M 2005 CMOS VLSI Design A Circuits and Systems Perspective Third Edition Boston Pearson Addison Wesley ISBN 0 321 26977 2 Carver Mead j Lynn Conway 1980 Introduction to VLSI systems Boston Addison Wesley ISBN 0 201 04358 0 nbsp Ce nezavershena stattya pro elektroniku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi nbsp Ce nezavershena stattya z fiziki Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Otrimano z https uk wikipedia org w index php title KMON amp oldid 36008644