www.wikidata.uk-ua.nina.az

Атомно шарове осадження АШО англ Atomic layer deposition ALD це технологія осадження тонких плівок яка базується на посл

Атомно-шарове осадження

Атомно-шарове осадження (АШО, англ. Atomic layer deposition, ALD) — це технологія осадження тонких плівок, яка базується на послідовних хімічних реакціях між парою та твердим тілом, та яка має властивість самообмеження. Більшість АШО-реакцій використовують дві хімічні сполуки, які зазвичай називають прекурсорами. Такі прекурсори почергово вступають в реакцію з поверхнею. Внаслідок багаторазового впливу прекурсорів відбувається ріст тонкої плівки.

Вступ Редагувати

Процес АШО є таким процесом, що саморегулюється (кількість осадженого матеріалу в кожному циклі реакції є постійною), у якому відбувається послідовні хімічні реакції, внаслідок яких осаджується рівномірна тонка плівка матеріалу на підкладки з різних матеріалів. Процес АШО схожий на процес хімічного осадження з парової фази (ХОПФ, англ. Chemical vapor deposition, CVD), окрім того, що в процесі АШО хімічні реакції розділені на декілька окремих реакцій, в яких матеріали прекурсорів реагують з поверхнею підкладки послідовно. Внаслідок властивості до самообмеження поверхневих реакцій, АШО-процес вирощування тонких плівок робить можливим керування осадженням на атомарному рівні. Утримуючи в процесі осадження прекурсори окремо, можна досягти контролю за процесом на рівні ~0.1 Å (10 пікометрів) за цикл. Розділення прекурсорів здійснюється імпульсами очищувального газу (як правило, азоту або аргону) після кожного імпульсу прекурсора для видалення залишків прекурсору з реактора та запобігання «паразитних» хімічних реакцій на підкладці.

Процес АШО вперше був описаний під назвою «Молекулярне нашарування» на початку 1960 років професором С. І. Кольцовим з Ленінградського технологічного інституту ім. Лєнсовєта. Ці експерименти з АШО проводилися під науковим керівництвом член-кореспондента Російської академії наук професора В. Б. Алесковського. Концепція процесу АШО була вперше запропонована професором В. Б. Алесковським в його кандидатській дисертації, опублікованій у 1952 році. Процес АШО розроблювався та впроваджувався в усьому світі під ім'ям атомно-шарова епітаксія (англ. Atomic layer epitaxy, ALE) наприкінці 1970-х років. Процес АШО розвивався через потребу у якісних діелектричних та люмінесцентних плівках, які повинні бути нанесені на підкладках з великою площею, для використання у тонкоплівкових електролюмінесцентних плоскопанельних дисплеях. Інтерес до АШО поступово збільшувався з середини 1990-х років з зосередженням на мікроелектроніці на основі кремнію. АШО вважається методом осадження який має найбільший потенціалом для отримання надтонких, рівномірних плівок з можливістю керування їх товщиною та складом на атомарному рівні. Головною рушійною силою в останній час є перспектива використання АШО при подальшій мініатюризації мікроелектронних пристроїв.

АШО може бути використане для нанесення декількох типів тонких плівок, в тому числі різних оксидів (наприклад, Al2O3, TiO2, SnO2, ZnO, HfO2), нітридів металів (наприклад, TiN, TaN, WN, NbN), металів (наприклад, Ru, Ir, Pt) та сульфідів металів (наприклад, ZnS).

Процес АШО Редагувати

АШО — це технологія, яка використовує принцип молекулярного збирання матеріалів з газової фази. Ріст шарів матеріалу у АШО складається з таких характерних чотирьох етапів, які циклічно повторюються:

  1. Дія першого прекурсора.
  2. Видалення з реактора прекурсорів, які непрореагували, та газоподібних продуктів реакції.
  3. Дія другого прекурсора або інша обробка для активування поверхні перед застосуванням першого прекурсора.
  4. Видалення з реактора залишків реагентів.

Саме така послідовність імпульсного напуску та видалення робочих газів є головною відмінністю технології АШО від ХОПФ. В технології ХОПФ реакційні гази знаходяться в робочій камері одночасно протягом значного часу (десятки хвилин).

Хімічні реакції при АШО відбуваються в діапазоні визначених температур, який називається вікном робочих температур, та зазвичай становить 200÷400 °C. Робочий тиск, що використовується при АШО, становить 0,1÷10 КПа.

Кожний цикл реакції, який додає певну кількість матеріалу на поверхню, називають зростанням за цикл. Щоб виростити шар матеріалу, цикли реакцій повторюються стільки разів, скільки необхідно для того, щоб отримати бажану товщину плівки. За один цикл, який може тривати від 0,5 с до декількох секунд, осаджується плівка товщиною від 0,1 до 3 Å. Перед початком процесу АШО поверхня підкладки стабілізується до початкового, відомого стану, шляхом, як правило, термічної обробки. Внаслідок самообмеження реакцій, АШО є поверхнево-керованим процесом, коли параметри процесу, окрім складу прекурсорів, підкладки та температури практично не мають впливу. Також, внаслідок поверхневого самообмеження, плівки вирощені у процесі АШО мають надзвичайно рівномірний склад та товщину. Ці тонкі плівки можуть бути використані у поєднанні з плівками, отриманими іншими поширеними методами.

Переваги та недоліки Редагувати

Переваги Редагувати

Плівки, отриманні з використанням АШО, залежать лише від кількості циклів реакції, що дозволяє дуже точно та просто контролювати їх товщину. На відміну від процесу ХОПФ, в цьому процесі менші вимоги до однорідності потоку реагентів, що дозволяє обробляти великі площі (великі партії та їх легке розширення), чудова рівномірність та повторюваність а також спрощене використання твердих прекурсорів. Окрім того, можливе пряме вирощування різних багатошарових структур. Ці переваги роблять АШО дуже привабливим для мікроелектроніки у виробництві наступних поколінь інтегральних схем.

Інші переваги процесу АШО полягають у широкому спектрі матеріалів плівок, високій щільності та низькому рівні забруднення домішками. Окрім того, низькі температури осадження можуть бути використанні з метою уникнення негативного впливу високої температури на чутливі підкладки.

Недоліки Редагувати

Головним недоліком процесу АШО полягає у його повільності. Зазвичай лише частини моношару осаджуються в одному циклі. На щастя, плівки, які будуть необхідними у наступних поколіннях мікросхем є надзвичайно тонкими і, таким чином, повільність АШО не буде мати важливого значення.

Отримання щільних, низькодефектних однорідних плівок методом АШО пов'язане з необхідністю синтезу прекурсорів з високою реакційною здатністю, причому хімічна чистота таких прекурсорів повинна бути не гіршою за 99,999 %. Такі вимоги до прекурсорів призводить до їх високої вартості, що стримує широке використання АШО.

Хоча вибір матеріалів для плівок, що осаджуються методом АШО достатньо великий, багато технологічно важливих матеріалів (такі як (Si, Ge, Si3N4, деякі багатокомпонентні оксиди та окремі метали) на цей час не можуть бути осадженні в економічно ефективний спосіб.

Процес АШО є хімічною технікою і тому існує ризик наявності у плівках залишків від прекурсорів. Вміст домішок у плівках залежить від повноти реакції. У типовому процесі оксидування, коли металогалогени алкільних з'єднань використовуються разом з водою як прекурсори, концентрація атомів домішок виявляється на рівні 0,1-1 %.

Процес АШО в мікроелектроніці Редагувати

Процес АШО розглядається як потенційний метод осадження підзатворного діелектрика, діелектриків з високою діелектричною проникністю у конденсаторах пам'яті, сегнетоелектриків, металів та нітридів для виготовлення електродів та міжз'єднань. У підзатворних оксидах з високою діелектричною проникністю, де є важливим контролювання виготовлення надтонкої плівки, застосування АШО швидше за все буде збільшуватися з більш широким використанням 45-нм технології. Оскільки вимоги до однорідності структури плівок металізації є суттєвими, очікується, що АШО буде широко використовуватися у 65-нм виробничому процесі. Вимоги до однорідності структури плівок у схемах динамічної пам'яті з довільним доступом (DRAM) є навіть ще вищими, тому процес АШО може виявитися єдиним, який буде використовуватися для виготовлення структур з розмірами, меншими за 100 нм.

Підзатворні діелектрики Редагувати

Осадження оксидів з великою діелектричною проникністю Al2O3, ZrO2 та HfO2 найбільш широко досліджувалося для застосування у процесах АШО. Основною мотивацією використання оксидів з високою діелектричною проникністю є проблема значного збільшення струму тунелювання через SiO2, який у сучасній напівпровідниковій технології є основним матеріалом для підзатворного діелектрика, при зменшенні його товщини до 1 нм та менше. З використанням оксидів з високою діелектричною проникністю, підзатворний діелектрик може бути виготовлений необхідної товщини з одночасним зменшенням струму тунелювання через структуру.

Компанія Intel повідомляла про використання АШО для осадження підзатворного діелектрика з високою діелектричною проникністю у їх 45-нм технології.

Конденсатори DRAM Редагувати

Використання як підзатворного діелектрика у конденсаторах схем динамічної пам'яті з довільним доступом оксиду кремнію SiO2, який на цей час широко застосовується, швидше за все буде зменшуватися зі зменшенням розмірів таких пристроїв пам'яті. Головними вимогами до зменшених конденсаторів DRAM є висока однорідність та діелектрична проникність вища за 200, тому матеріали, які будуть застосовуватися, будуть відрізнятися від вивчених на цей час підзатворних діелектриків, що використовуються у МДН польових транзисторах (наприклад, Al2O3, ZrO2, and HfO2). Найбільш вивченим кандидатом на такий діелектрик є (Ba, Sr)TiO3. Процес АШО є дуже перспективним методом, який може задовольнити високі вимоги до рівномірності при застосуванні у динамічній пам'яті з довільним доступом. Діелектрична проникність у 180 одиниць була отримана для SrTiO3, а для BaTiO3 — у 165 одиниць для плівок, товстіших за 200 нм, які були відпалені після осадження, але при зменшенні товщини плівок до 50 нм, діелектрична проникність також зменшувалася до 100 одиниць.

Нітриди перехідних металів Редагувати

Нітриди перехідних металів, таких як TiN та TaN розглядаються як такі, що потенційно можуть використовуватися як бар'єрєрний матеріал та матеріал електрода затвору. Такі бар'єри використовуються у сучасних мікросхемах з мідними міжз'єднаннями з метою запобігання дифузії Cu у навколишні матеріали, такі як ізолюючі матеріали та кремнієві підкладки, а також для запобігання забруднення мідних елементів схем елементами, що дифундують з матеріалів, які ізолюють мідні міжз'єднання із бар'єрними шарами металізації. До металевих бар'єрів висуваються жорсткі вимоги: вони не повинні мати домішок, повинні бути щільними, з хорошею провідністю, рівномірними, тонкими, мати гарну адгезію до металів та діелектриків. Ці вимоги можуть бути задоволені процесом АШО. Найбільш вивченим є АШО нітриду тітану TiN з TiCl4 та NH3.

Див. також Редагувати

Посилання Редагувати

  1. В. Б. Алесковский, Журнал Прикладной Химии, 47, 2145 (1974); [J. Appl. Chem. USSR. 47, 2207, (1974)].
  2. R.L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005).
  3. A.A. Malygin, J. Ind. Eng. Chem. Vol.12, No. 1, (2006) 1-11.
  4. T. Suntola, J. Antson, U.S. Patent 4,058,430, 1977.
  5. Ahnd, Semicond. Int. 26, 46-51, 2003.
  6. http://download.intel.com/technology/IEDM2007/HiKMG_paper.pdf [ 18 лютого 2008 у Wayback Machine.] A 45nm Logic Technology with High-k+Metal Gate Transistors, Strained Silicon, 9 Cu Interconnect Layers, 193nm Dry Patterning, and 100 % Pb-free Packaging
  7. M. Vehkamaki et al., Electrochem. Solid-State Lett. 2, 504—506, 1999.
  8. K.E. Elers et al.,Chem. Vap. Deposition 4,149, 2002
  • Mikko Ritala; Markku Leskelä (March 1999). Atomic layer epitaxy—a valuable tool for nanotechnology?. Nanotechnology 10 (1): 19–24. doi:10.1088/0957-4484/10/1/005. 
  • Markku Leskelä; Mikko Ritala (2003). Atomic Layer Deposition Chemistry: Recent Developments and Future Challenges. Angew. Chem. Int. Ed. 42 (45): 5548–5554. PMID 14639717. doi:10.1002/anie.200301652. 
  • First use of ALD for DRAM applications
  • Suppliers of high quality ALD equipment [2] [ 24 жовтня 2011 у Wayback Machine.][3] [ 1 травня 2022 у Wayback Machine.][4] [ 30 грудня 2019 у Wayback Machine.]
  • Journal articles discussing ALD [6][недоступне посилання з серпня 2019]
  • Academic researchers specializing in ALD [7] [ 3 жовтня 2011 у Wayback Machine.]
  • Major conferences dedicated to ALD
  • Thin Film Leader in Just Five Years
  • Picosun designed and provided the ALD reactor that enabled the challenging R&D behind the new material
  • ALD Animation [13] [ 22 жовтня 2013 у Wayback Machine.]
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри
Дата публікації:
Atomno sharove osadzhennya AShO angl Atomic layer deposition ALD ce tehnologiya osadzhennya tonkih plivok yaka bazuyetsya na poslidovnih himichnih reakciyah mizh paroyu ta tverdim tilom ta yaka maye vlastivist samoobmezhennya Bilshist AShO reakcij vikoristovuyut dvi himichni spoluki yaki zazvichaj nazivayut prekursorami Taki prekursori pochergovo vstupayut v reakciyu z poverhneyu Vnaslidok bagatorazovogo vplivu prekursoriv vidbuvayetsya rist tonkoyi plivki Zmist 1 Vstup 2 Proces AShO 3 Perevagi ta nedoliki 3 1 Perevagi 3 2 Nedoliki 4 Proces AShO v mikroelektronici 4 1 Pidzatvorni dielektriki 4 2 Kondensatori DRAM 4 3 Nitridi perehidnih metaliv 5 Div takozh 6 PosilannyaVstup RedaguvatiProces AShO ye takim procesom sho samoregulyuyetsya kilkist osadzhenogo materialu v kozhnomu cikli reakciyi ye postijnoyu u yakomu vidbuvayetsya poslidovni himichni reakciyi vnaslidok yakih osadzhuyetsya rivnomirna tonka plivka materialu na pidkladki z riznih materialiv Proces AShO shozhij na proces himichnogo osadzhennya z parovoyi fazi HOPF angl Chemical vapor deposition CVD okrim togo sho v procesi AShO himichni reakciyi rozdileni na dekilka okremih reakcij v yakih materiali prekursoriv reaguyut z poverhneyu pidkladki poslidovno Vnaslidok vlastivosti do samoobmezhennya poverhnevih reakcij AShO proces viroshuvannya tonkih plivok robit mozhlivim keruvannya osadzhennyam na atomarnomu rivni Utrimuyuchi v procesi osadzhennya prekursori okremo mozhna dosyagti kontrolyu za procesom na rivni 0 1 A 10 pikometriv za cikl Rozdilennya prekursoriv zdijsnyuyetsya impulsami ochishuvalnogo gazu yak pravilo azotu abo argonu pislya kozhnogo impulsu prekursora dlya vidalennya zalishkiv prekursoru z reaktora ta zapobigannya parazitnih himichnih reakcij na pidkladci Proces AShO vpershe buv opisanij pid nazvoyu Molekulyarne nasharuvannya na pochatku 1960 rokiv profesorom S I Kolcovim z Leningradskogo tehnologichnogo institutu im Lyensovyeta Ci eksperimenti z AShO provodilisya pid naukovim kerivnictvom chlen korespondenta Rosijskoyi akademiyi nauk profesora V B Aleskovskogo Koncepciya procesu AShO bula vpershe zaproponovana profesorom V B Aleskovskim v jogo kandidatskij disertaciyi opublikovanij u 1952 roci 1 2 3 Proces AShO rozroblyuvavsya ta vprovadzhuvavsya v usomu sviti pid im yam atomno sharova epitaksiya angl Atomic layer epitaxy ALE naprikinci 1970 h rokiv 4 Proces AShO rozvivavsya cherez potrebu u yakisnih dielektrichnih ta lyuminescentnih plivkah yaki povinni buti naneseni na pidkladkah z velikoyu plosheyu dlya vikoristannya u tonkoplivkovih elektrolyuminescentnih ploskopanelnih displeyah Interes do AShO postupovo zbilshuvavsya z seredini 1990 h rokiv z zoseredzhennyam na mikroelektronici na osnovi kremniyu AShO vvazhayetsya metodom osadzhennya yakij maye najbilshij potencialom dlya otrimannya nadtonkih rivnomirnih plivok z mozhlivistyu keruvannya yih tovshinoyu ta skladom na atomarnomu rivni Golovnoyu rushijnoyu siloyu v ostannij chas ye perspektiva vikoristannya AShO pri podalshij miniatyurizaciyi mikroelektronnih pristroyiv AShO mozhe buti vikoristane dlya nanesennya dekilkoh tipiv tonkih plivok v tomu chisli riznih oksidiv napriklad Al2O3 TiO2 SnO2 ZnO HfO2 nitridiv metaliv napriklad TiN TaN WN NbN metaliv napriklad Ru Ir Pt ta sulfidiv metaliv napriklad ZnS Proces AShO RedaguvatiAShO ce tehnologiya yaka vikoristovuye princip molekulyarnogo zbirannya materialiv z gazovoyi fazi Rist shariv materialu u AShO skladayetsya z takih harakternih chotiroh etapiv yaki ciklichno povtoryuyutsya Diya pershogo prekursora Vidalennya z reaktora prekursoriv yaki neproreaguvali ta gazopodibnih produktiv reakciyi Diya drugogo prekursora abo insha obrobka dlya aktivuvannya poverhni pered zastosuvannyam pershogo prekursora Vidalennya z reaktora zalishkiv reagentiv Same taka poslidovnist impulsnogo napusku ta vidalennya robochih gaziv ye golovnoyu vidminnistyu tehnologiyi AShO vid HOPF V tehnologiyi HOPF reakcijni gazi znahodyatsya v robochij kameri odnochasno protyagom znachnogo chasu desyatki hvilin Himichni reakciyi pri AShO vidbuvayutsya v diapazoni viznachenih temperatur yakij nazivayetsya viknom robochih temperatur ta zazvichaj stanovit 200 400 C Robochij tisk sho vikoristovuyetsya pri AShO stanovit 0 1 10 KPa Kozhnij cikl reakciyi yakij dodaye pevnu kilkist materialu na poverhnyu nazivayut zrostannyam za cikl Shob virostiti shar materialu cikli reakcij povtoryuyutsya stilki raziv skilki neobhidno dlya togo shob otrimati bazhanu tovshinu plivki Za odin cikl yakij mozhe trivati vid 0 5 s do dekilkoh sekund osadzhuyetsya plivka tovshinoyu vid 0 1 do 3 A Pered pochatkom procesu AShO poverhnya pidkladki stabilizuyetsya do pochatkovogo vidomogo stanu shlyahom yak pravilo termichnoyi obrobki Vnaslidok samoobmezhennya reakcij AShO ye poverhnevo kerovanim procesom koli parametri procesu okrim skladu prekursoriv pidkladki ta temperaturi praktichno ne mayut vplivu Takozh vnaslidok poverhnevogo samoobmezhennya plivki virosheni u procesi AShO mayut nadzvichajno rivnomirnij sklad ta tovshinu Ci tonki plivki mozhut buti vikoristani u poyednanni z plivkami otrimanimi inshimi poshirenimi metodami Perevagi ta nedoliki RedaguvatiPerevagi Redaguvati Plivki otrimanni z vikoristannyam AShO zalezhat lishe vid kilkosti cikliv reakciyi sho dozvolyaye duzhe tochno ta prosto kontrolyuvati yih tovshinu Na vidminu vid procesu HOPF v comu procesi menshi vimogi do odnoridnosti potoku reagentiv sho dozvolyaye obroblyati veliki ploshi veliki partiyi ta yih legke rozshirennya chudova rivnomirnist ta povtoryuvanist a takozh sproshene vikoristannya tverdih prekursoriv Okrim togo mozhlive pryame viroshuvannya riznih bagatosharovih struktur Ci perevagi roblyat AShO duzhe privablivim dlya mikroelektroniki u virobnictvi nastupnih pokolin integralnih shem Inshi perevagi procesu AShO polyagayut u shirokomu spektri materialiv plivok visokij shilnosti ta nizkomu rivni zabrudnennya domishkami Okrim togo nizki temperaturi osadzhennya mozhut buti vikoristanni z metoyu uniknennya negativnogo vplivu visokoyi temperaturi na chutlivi pidkladki Nedoliki Redaguvati Golovnim nedolikom procesu AShO polyagaye u jogo povilnosti Zazvichaj lishe chastini monosharu osadzhuyutsya v odnomu cikli Na shastya plivki yaki budut neobhidnimi u nastupnih pokolinnyah mikroshem ye nadzvichajno tonkimi i takim chinom povilnist AShO ne bude mati vazhlivogo znachennya Otrimannya shilnih nizkodefektnih odnoridnih plivok metodom AShO pov yazane z neobhidnistyu sintezu prekursoriv z visokoyu reakcijnoyu zdatnistyu prichomu himichna chistota takih prekursoriv povinna buti ne girshoyu za 99 999 Taki vimogi do prekursoriv prizvodit do yih visokoyi vartosti sho strimuye shiroke vikoristannya AShO Hocha vibir materialiv dlya plivok sho osadzhuyutsya metodom AShO dostatno velikij bagato tehnologichno vazhlivih materialiv taki yak Si Ge Si3N4 deyaki bagatokomponentni oksidi ta okremi metali na cej chas ne mozhut buti osadzhenni v ekonomichno efektivnij sposib Proces AShO ye himichnoyu tehnikoyu i tomu isnuye rizik nayavnosti u plivkah zalishkiv vid prekursoriv Vmist domishok u plivkah zalezhit vid povnoti reakciyi U tipovomu procesi oksiduvannya koli metalogalogeni alkilnih z yednan vikoristovuyutsya razom z vodoyu yak prekursori koncentraciya atomiv domishok viyavlyayetsya na rivni 0 1 1 Proces AShO v mikroelektronici RedaguvatiProces AShO rozglyadayetsya yak potencijnij metod osadzhennya pidzatvornogo dielektrika dielektrikiv z visokoyu dielektrichnoyu proniknistyu u kondensatorah pam yati segnetoelektrikiv metaliv ta nitridiv dlya vigotovlennya elektrodiv ta mizhz yednan U pidzatvornih oksidah z visokoyu dielektrichnoyu proniknistyu de ye vazhlivim kontrolyuvannya vigotovlennya nadtonkoyi plivki zastosuvannya AShO shvidshe za vse bude zbilshuvatisya z bilsh shirokim vikoristannyam 45 nm tehnologiyi Oskilki vimogi do odnoridnosti strukturi plivok metalizaciyi ye suttyevimi ochikuyetsya sho AShO bude shiroko vikoristovuvatisya u 65 nm virobnichomu procesi Vimogi do odnoridnosti strukturi plivok u shemah dinamichnoyi pam yati z dovilnim dostupom DRAM ye navit she vishimi tomu proces AShO mozhe viyavitisya yedinim yakij bude vikoristovuvatisya dlya vigotovlennya struktur z rozmirami menshimi za 100 nm 5 Pidzatvorni dielektriki Redaguvati Osadzhennya oksidiv z velikoyu dielektrichnoyu proniknistyu Al2O3 ZrO2 ta HfO2 najbilsh shiroko doslidzhuvalosya dlya zastosuvannya u procesah AShO Osnovnoyu motivaciyeyu vikoristannya oksidiv z visokoyu dielektrichnoyu proniknistyu ye problema znachnogo zbilshennya strumu tunelyuvannya cherez SiO2 yakij u suchasnij napivprovidnikovij tehnologiyi ye osnovnim materialom dlya pidzatvornogo dielektrika pri zmenshenni jogo tovshini do 1 nm ta menshe Z vikoristannyam oksidiv z visokoyu dielektrichnoyu proniknistyu pidzatvornij dielektrik mozhe buti vigotovlenij neobhidnoyi tovshini z odnochasnim zmenshennyam strumu tunelyuvannya cherez strukturu Kompaniya Intel povidomlyala pro vikoristannya AShO dlya osadzhennya pidzatvornogo dielektrika z visokoyu dielektrichnoyu proniknistyu u yih 45 nm tehnologiyi 6 Kondensatori DRAM Redaguvati Vikoristannya yak pidzatvornogo dielektrika u kondensatorah shem dinamichnoyi pam yati z dovilnim dostupom oksidu kremniyu SiO2 yakij na cej chas shiroko zastosovuyetsya shvidshe za vse bude zmenshuvatisya zi zmenshennyam rozmiriv takih pristroyiv pam yati Golovnimi vimogami do zmenshenih kondensatoriv DRAM ye visoka odnoridnist ta dielektrichna proniknist visha za 200 tomu materiali yaki budut zastosovuvatisya budut vidriznyatisya vid vivchenih na cej chas pidzatvornih dielektrikiv sho vikoristovuyutsya u MDN polovih tranzistorah napriklad Al2O3 ZrO2 and HfO2 Najbilsh vivchenim kandidatom na takij dielektrik ye Ba Sr TiO3 Proces AShO ye duzhe perspektivnim metodom yakij mozhe zadovolniti visoki vimogi do rivnomirnosti pri zastosuvanni u dinamichnij pam yati z dovilnim dostupom Dielektrichna proniknist u 180 odinic bula otrimana dlya SrTiO3 a dlya BaTiO3 u 165 odinic dlya plivok tovstishih za 200 nm yaki buli vidpaleni pislya osadzhennya ale pri zmenshenni tovshini plivok do 50 nm dielektrichna proniknist takozh zmenshuvalasya do 100 odinic 7 Nitridi perehidnih metaliv Redaguvati Nitridi perehidnih metaliv takih yak TiN ta TaN rozglyadayutsya yak taki sho potencijno mozhut vikoristovuvatisya yak bar yeryernij material ta material elektroda zatvoru Taki bar yeri vikoristovuyutsya u suchasnih mikroshemah z midnimi mizhz yednannyami z metoyu zapobigannya difuziyi Cu u navkolishni materiali taki yak izolyuyuchi materiali ta kremniyevi pidkladki a takozh dlya zapobigannya zabrudnennya midnih elementiv shem elementami sho difunduyut z materialiv yaki izolyuyut midni mizhz yednannya iz bar yernimi sharami metalizaciyi Do metalevih bar yeriv visuvayutsya zhorstki vimogi voni ne povinni mati domishok povinni buti shilnimi z horosheyu providnistyu rivnomirnimi tonkimi mati garnu adgeziyu do metaliv ta dielektrikiv Ci vimogi mozhut buti zadovoleni procesom AShO Najbilsh vivchenim ye AShO nitridu titanu TiN z TiCl4 ta NH3 8 Div takozh RedaguvatiHimichne osadzhennya z parovoyi fazi Tonka plivkaPosilannya Redaguvati V B Aleskovskij Zhurnal Prikladnoj Himii 47 2145 1974 J Appl Chem USSR 47 2207 1974 R L Puurunen J Appl Phys 97 121301 2005 A A Malygin J Ind Eng Chem Vol 12 No 1 2006 1 11 T Suntola J Antson U S Patent 4 058 430 1977 Ahnd Semicond Int 26 46 51 2003 http download intel com technology IEDM2007 HiKMG paper pdf Arhivovano 18 lyutogo 2008 u Wayback Machine A 45nm Logic Technology with High k Metal Gate Transistors Strained Silicon 9 Cu Interconnect Layers 193nm Dry Patterning and 100 Pb free Packaging M Vehkamaki et al Electrochem Solid State Lett 2 504 506 1999 K E Elers et al Chem Vap Deposition 4 149 2002 Mikko Ritala Markku Leskela March 1999 Atomic layer epitaxy a valuable tool for nanotechnology Nanotechnology 10 1 19 24 doi 10 1088 0957 4484 10 1 005 Markku Leskela Mikko Ritala 2003 Atomic Layer Deposition Chemistry Recent Developments and Future Challenges Angew Chem Int Ed 42 45 5548 5554 PMID 14639717 doi 10 1002 anie 200301652 First use of ALD for DRAM applications 1 Suppliers of high quality ALD equipment 2 Arhivovano 24 zhovtnya 2011 u Wayback Machine 3 Arhivovano 1 travnya 2022 u Wayback Machine 4 Arhivovano 30 grudnya 2019 u Wayback Machine Journal articles discussing ALD 5 6 nedostupne posilannya z serpnya 2019 Academic researchers specializing in ALD 7 Arhivovano 3 zhovtnya 2011 u Wayback Machine 8 9 Major conferences dedicated to ALD 10 Thin Film Leader in Just Five Years 11 Picosun designed and provided the ALD reactor that enabled the challenging R amp D behind the new material 12 ALD Animation 13 Arhivovano 22 zhovtnya 2013 u Wayback Machine Otrimano z https uk wikipedia org w index php title Atomno sharove osadzhennya amp oldid 35927510