www.wikidata.uk-ua.nina.az

IGBT Ця стаття містить перелік посилань але походження тверджень у ній залишається незрозумілим через практично повну ві

IGBT

Ця стаття містить перелік посилань, але походження тверджень у ній залишається незрозумілим через практично повну відсутність внутрішньотекстових джерел-виносок. Будь ласка, допоможіть поліпшити цю статтю, перетворивши джерела з переліку посилань на джерела-виноски у самому тексті статті.

IGBT (англ. insulated-gate bipolar transistor, укр. біполярний транзистор з ізольованим затвором) — триелектродний силовий напівпровідниковий прилад, що поєднує два транзистори в одній напівпровідниковій структурі: біполярний (утворює силовий канал) і польовий (утворює канал управління). Використовується, в основному, як потужний електронний ключ в імпульсних джерелах живлення, інверторах, в системах управління електричними приводами.

Приклад графічного позначення IGBT транзистора на принципових електричних схемах.

Каскадне включення транзисторів двох різних типів дозволяє поєднувати їх переваги в одному приладі: вихідні характеристики біполярного (велика допустима робоча напруга й опір відкритого каналу пропорційно струму, а не квадрату струму, як у польових) і вхідні характеристики польового (мінімальні витрати на керування). Керуючий електрод називається затвором, як у польового транзистора, два інших електроди - емітером і колектором, як у біполярного. У деяких випадках транзистори цього типу доцільно встановлювати на зварювальні інвертори. У них вони замінюють звичайні польові транзистори (МДП-транзистори).

Каскадне ввімкнення 2 транзисторів(IGBT)

Історія Редагувати

До 1990-х років як силові напівпровідникові прилади, крім тиристорів, використовувалися біполярні транзистори. Їхня ефективність була обмежена кількома недоліками:

  • необхідність великого струму бази для включення;
  • наявність струмового «хвоста» при замиканні, оскільки струм колектора не спадає миттєво після зняття струму управління - з'являється опір в ланцюзі колектора, і транзистор нагрівається;
  • залежність параметрів від температури.
Рис.3. IGBT модуль для напруги до 900 В та сили струму до 30 А.

Напруга насичення ланцюга колектор-емітер також обмежує мінімальну робочу напругу. З появою польових транзисторів, виконаних за технологією МОН (англ. MOSFET), ситуація змінилася. На відміну від біполярних, польові транзистори: мають такі характеристики:

  • керовані не струмом, а напругою;
  • їхні параметри не так сильно залежать від температури;
  • їхня робоча напруга теоретично не має нижньої межі завдяки використанню багатокоміркових НВІС;
  • мають низький опір каналу (менше міліома);
  • можуть працювати в широкому діапазоні струмів (від міліамперів до сотень ампер);
  • мають високу частоту перемикання (сотні кілогерців і більше);

Польові МОН-транзистори (метал-оксид-напівпровідник) легко керуються, що властиво транзисторам з ізольованим затвором, і мають вбудований діод витоку для обмеження випадкових викидів струму. Типові застосування цих транзисторів — різноманітні імпульсні перетворювачі напруги з високими робочими частотами, і навіть аудіопідсилювачі (так званого класу D).

Перший промисловий зразок біполярного транзистора з ізольованим затвором (БТІЗ) був запатентований International Rectifier в 1983 році. Пізніше, в 1985 році, був розроблений біполярний транзистор з ізольованим затвором (БТІЗ) з повністю плоскою структурою (без V-каналу) і вищими робочими напругами. Його структуру показано на рисунку 4. Це сталося майже одночасно в лабораторіях фірм General Electric в місті Скенектаді (штат Нью-Йорк) і в RCA в Прінстоні (Нью-Джерсі). Спочатку пристрій називали COMFET, GEMFET або IGFET. Потім прийняли сучасну назву IGBT. Перші БТІЗ не набули поширення через такі недоліки як - повільне перемикання і низька надійність. Друге (1990-ті роки) і третє (сучасне) покоління БТІЗ в цілому позбулися цих вад.

БТІЗ поєднує переваги двох основних видів транзисторів:

  • високий вхідний опір, низький рівень керівної потужності - від польових транзисторів з ізольованим затвором;
  • низьке значення залишкової напруги у включеному стані - від біполярних транзисторів;
  • малі втрати у відкритому стані при великих струмах та високих напругах;
  • характеристики перемикання і провідність біполярного транзистора;
  • управління як у МОН - напругою.

Діапазон використання електричних параметрів таких транзисторів - від десятків до 1200 амперів за струмом, від сотень вольтів до 10 кВ за напругою. В діапазоні струмів до десятків амперів і напруг до 500 В доцільно застосовувати звичайні МОП (МДН) транзистори, а не БТІЗ, оскільки при низькій напрузі польові транзистори мають менший опір.

Структура IGBT транзистора та його характеристики Редагувати

Як видно зі структурної схеми IGBT-транзистора (рис. 4), це досить складний прилад, в якому транзистор типу р-n-р керується МОН-транзистором з каналом типу n. Колектор IGBT-транзистора на еквівалентній схемі (рис. 5) є емітером транзистора VT4. При подачі позитивної напруги на затвор у транзистора VT1 з'являється електропровідний канал. Через нього емітер транзистора IGBT (колектор транзистора VT4) з'єднується з базою транзистора VT4.

Рис.5. Еквівалентна схема IGBT транзистора

Це призводить до того, що він повністю вимикається і падіння напруги між колектором транзистора IGBT і його емітером стає рівним падінню напруги на емітерному переході транзистора VT4, підсумованим з падінням напруги Uси на транзисторі VT1.

У зв'язку з тим, що падіння напруги на р-n-переході зменшується зі збільшенням температури, падіння напруги на відкритому IGBT-транзисторі в певному діапазоні струмів має негативний температурний коефіцієнт, який стає позитивним при великому струмі.

При збільшенні напруги, прикладеного до транзистора IGBT, збільшується струм каналу, який визначає струм бази транзистора VT4, при цьому падіння напруги на IGBT-транзисторі зменшується.

Рис.6. Схема заміщення та вихідні характеристики IGBT

 При замиканні транзистора VT1 струм транзистора VT4 стає малим, що дозволяє вважати його замкненим. Додаткові шари введені для виключення режимів роботи, характерних для тиристорів, коли відбувається лавинний пробій. Буферний шар n+ і широка базова область n- забезпечують зменшення коефіцієнта посилення за струмом p-n-p-транзистора.

Загальна картина ввімкнення та вимикання транзистора досить складна, так як відбувається зміна рухливості носіїв заряду, коефіцієнтів передачі струму транзисторів, зміни опорів областей та ін. Хоча в принципі IGBT-транзистори можуть бути використані для роботи в лінійному режимі, але в основному їх застосовують в ключовому режимі.

Рис.7. Зміна падіння напруги Uке і струму Ic IGBT-транзистора

Дослідження показали, що для більшості транзисторів типу IGBT час ввімкнення і вимкнення не перевищує 0,5 - 1,0 мкс. Для зменшення кількості додаткових зовнішніх компонентів до складу IGBT-транзисторів вводять діоди або випускають модулі, що складаються з декількох компонентів.

Рис.8. Умовні позначення модулів на IGBT-транзисторах: а - МТКІД; б - МТКІ; в - М2ТКІ; г - МДТКІ

Відповідно до рисунку 8 умовні позначення модулів на IGBT-транзисторах включають: букву М - модуль безпотенційний (основа ізольована); 2 - кількість ключів; літери ТКІ - біполярний із ізольованим затвором; ДТКІ - діод / біполярний транзистор із ізольованим затвором; ТКІД - біполярний транзистор з ізольованим затвором / діод; цифри: 25, 35, 50, 75, 80, 110, 150 - максимальний струм; цифри: 1, 2, 5, 6, 10, 12 - максимальна напруга між колектором і емітером Uке (* 100В). Наприклад модуль МТКІД-75-17 має Uке = 1700 В, I = 2 * 75А, Uке отк = 3,5 В, Pк max = 625 Вт.

Розрахунок IGBT-транзистора Редагувати

Вибір транзистора проводиться за наступними умовами, наприклад, для перетворювачів напруги з резонансним контуром:

  • Транзистор повинен перемикатися при значенні нульового струму;
  • Форма струму синусоїди щодо силових ключів повинна бути аналогічна до власної частоти контуру і становить 100 кГц;
  • Амплітуда струму повинна відповідати середній потужності, наприклад, 40 А до потужність 2000 Вт;
  • Визначення максимального значення напруги і максимальної частоти перемикання транзисторів за умови, що плечі транзисторів повинні працювати в протифазі.

Для підбору драйвера IGBT транзистора керуються параметрами керування затвора, необхідного для процесу комутації (відмикання і замикання) силового напівпровідника. Для визначення потужності управління Pdrv потрібно знати величину заряду затвора (Qgate), частоту комутації (Fin) і реальний заміряний розмах напруги на виході драйвера ΔVgate:

Формула заряду затвору:

,

де час інтегрування повинний не перевищувати час управління вихідних напруг драйвера до їх остаточних показників. Вибір максимальної величини струму керування затвором визначається за спрощеною формулою:

Застосування Редагувати

Основне застосування БТІЗ - це інвертори, імпульсні регулятори струму, частотно-регульовані приводи.

Широке застосування БТІЗ знайшли в джерелах зварювального струму, в управлінні силовим електроприводом, в тому числі на міському електричному транспорті. Застосування БТІЗ-модулів в системах управління тяговими двигунами дозволяє (у порівнянні з тиристорними пристроями) забезпечити високий ККД, високу плавність ходу машини і можливість застосування рекуперативного гальмування практично на будь-якій швидкості.

БТІЗ застосовують при роботі з високими напругами (більше 1000 В), високою температурою (понад 100 ° C) і високою вихідною потужністю (більш 5 кВт). БТІЗ використовуються в схемах керування двигунами (при робочій частоті менше 20 кГц), джерелах безперебійного живлення (з постійним навантаженням і низькою частотою) і зварювальних апаратах (де потрібен великий струм і низька частота - до 50 кГц).

БТІЗ і МОН займають діапазон середніх потужностей і частот, частково «перекриваючи» один одного. У загальному випадку, для високочастотних низьковольтних каскадів найбільш підходять МОН, а для високовольтних потужних - БТІЗ.

У деяких випадках БТІЗ і МОН повністю взаємозамінні, цокольовка приладів і характеристики керуючих сигналів обох пристроїв зазвичай однакові. БТІЗ і МОН вимагають 12-15 В для повного включення і не потребують негативної напруги для виключення. Але «керований напругою» не означає, що схемі керування не потрібно джерело струму. Затвор БТІЗ або МОН для керуючої схеми є конденсатором з величиною ємності, що досягає тисяч пікофарад (для потужних пристроїв). Драйвер затвора повинен бути здатним швидко заряджати і розряджати цю ємність, щоб гарантувати швидке перемикання транзистора.

Посилання Редагувати

Див. також Редагувати

Вікісховище має мультимедійні дані за темою: IGBT


Це незавершена стаття про електроніку.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри
Дата публікації:
Cya stattya mistit perelik posilan ale pohodzhennya tverdzhen u nij zalishayetsya nezrozumilim cherez praktichno povnu vidsutnist vnutrishnotekstovih dzherel vinosok Bud laska dopomozhit polipshiti cyu stattyu peretvorivshi dzherela z pereliku posilan na dzherela vinoski u samomu teksti statti IGBT angl insulated gate bipolar transistor ukr bipolyarnij tranzistor z izolovanim zatvorom trielektrodnij silovij napivprovidnikovij prilad sho poyednuye dva tranzistori v odnij napivprovidnikovij strukturi bipolyarnij utvoryuye silovij kanal i polovij utvoryuye kanal upravlinnya Vikoristovuyetsya v osnovnomu yak potuzhnij elektronnij klyuch v impulsnih dzherelah zhivlennya invertorah v sistemah upravlinnya elektrichnimi privodami Priklad grafichnogo poznachennya IGBT tranzistora na principovih elektrichnih shemah Kaskadne vklyuchennya tranzistoriv dvoh riznih tipiv dozvolyaye poyednuvati yih perevagi v odnomu priladi vihidni harakteristiki bipolyarnogo velika dopustima robocha napruga j opir vidkritogo kanalu proporcijno strumu a ne kvadratu strumu yak u polovih i vhidni harakteristiki polovogo minimalni vitrati na keruvannya Keruyuchij elektrod nazivayetsya zatvorom yak u polovogo tranzistora dva inshih elektrodi emiterom i kolektorom yak u bipolyarnogo U deyakih vipadkah tranzistori cogo tipu docilno vstanovlyuvati na zvaryuvalni invertori U nih voni zaminyuyut zvichajni polovi tranzistori MDP tranzistori Kaskadne vvimknennya 2 tranzistoriv IGBT Zmist 1 Istoriya 2 Struktura IGBT tranzistora ta jogo harakteristiki 3 Rozrahunok IGBT tranzistora 4 Zastosuvannya 5 Posilannya 6 Div takozhIstoriya RedaguvatiDo 1990 h rokiv yak silovi napivprovidnikovi priladi krim tiristoriv vikoristovuvalisya bipolyarni tranzistori Yihnya efektivnist bula obmezhena kilkoma nedolikami neobhidnist velikogo strumu bazi dlya vklyuchennya nayavnist strumovogo hvosta pri zamikanni oskilki strum kolektora ne spadaye mittyevo pislya znyattya strumu upravlinnya z yavlyayetsya opir v lancyuzi kolektora i tranzistor nagrivayetsya zalezhnist parametriv vid temperaturi nbsp Ris 3 IGBT modul dlya naprugi do 900 V ta sili strumu do 30 A Napruga nasichennya lancyuga kolektor emiter takozh obmezhuye minimalnu robochu naprugu Z poyavoyu polovih tranzistoriv vikonanih za tehnologiyeyu MON angl MOSFET situaciya zminilasya Na vidminu vid bipolyarnih polovi tranzistori mayut taki harakteristiki kerovani ne strumom a naprugoyu yihni parametri ne tak silno zalezhat vid temperaturi yihnya robocha napruga teoretichno ne maye nizhnoyi mezhi zavdyaki vikoristannyu bagatokomirkovih NVIS mayut nizkij opir kanalu menshe milioma mozhut pracyuvati v shirokomu diapazoni strumiv vid miliamperiv do soten amper mayut visoku chastotu peremikannya sotni kilogerciv i bilshe Polovi MON tranzistori metal oksid napivprovidnik legko keruyutsya sho vlastivo tranzistoram z izolovanim zatvorom i mayut vbudovanij diod vitoku dlya obmezhennya vipadkovih vikidiv strumu Tipovi zastosuvannya cih tranzistoriv riznomanitni impulsni peretvoryuvachi naprugi z visokimi robochimi chastotami i navit audiopidsilyuvachi tak zvanogo klasu D Pershij promislovij zrazok bipolyarnogo tranzistora z izolovanim zatvorom BTIZ buv zapatentovanij International Rectifier v 1983 roci Piznishe v 1985 roci buv rozroblenij bipolyarnij tranzistor z izolovanim zatvorom BTIZ z povnistyu ploskoyu strukturoyu bez V kanalu i vishimi robochimi naprugami Jogo strukturu pokazano na risunku 4 Ce stalosya majzhe odnochasno v laboratoriyah firm General Electric v misti Skenektadi shtat Nyu Jork i v RCA v Prinstoni Nyu Dzhersi Spochatku pristrij nazivali COMFET GEMFET abo IGFET Potim prijnyali suchasnu nazvu IGBT Pershi BTIZ ne nabuli poshirennya cherez taki nedoliki yak povilne peremikannya i nizka nadijnist Druge 1990 ti roki i tretye suchasne pokolinnya BTIZ v cilomu pozbulisya cih vad BTIZ poyednuye perevagi dvoh osnovnih vidiv tranzistoriv visokij vhidnij opir nizkij riven kerivnoyi potuzhnosti vid polovih tranzistoriv z izolovanim zatvorom nizke znachennya zalishkovoyi naprugi u vklyuchenomu stani vid bipolyarnih tranzistoriv mali vtrati u vidkritomu stani pri velikih strumah ta visokih naprugah harakteristiki peremikannya i providnist bipolyarnogo tranzistora upravlinnya yak u MON naprugoyu Diapazon vikoristannya elektrichnih parametriv takih tranzistoriv vid desyatkiv do 1200 amperiv za strumom vid soten voltiv do 10 kV za naprugoyu V diapazoni strumiv do desyatkiv amperiv i naprug do 500 V docilno zastosovuvati zvichajni MOP MDN tranzistori a ne BTIZ oskilki pri nizkij napruzi polovi tranzistori mayut menshij opir Struktura IGBT tranzistora ta jogo harakteristiki RedaguvatiYak vidno zi strukturnoyi shemi IGBT tranzistora ris 4 ce dosit skladnij prilad v yakomu tranzistor tipu r n r keruyetsya MON tranzistorom z kanalom tipu n Kolektor IGBT tranzistora na ekvivalentnij shemi ris 5 ye emiterom tranzistora VT4 Pri podachi pozitivnoyi naprugi na zatvor u tranzistora VT1 z yavlyayetsya elektroprovidnij kanal Cherez nogo emiter tranzistora IGBT kolektor tranzistora VT4 z yednuyetsya z bazoyu tranzistora VT4 nbsp Ris 5 Ekvivalentna shema IGBT tranzistoraCe prizvodit do togo sho vin povnistyu vimikayetsya i padinnya naprugi mizh kolektorom tranzistora IGBT i jogo emiterom staye rivnim padinnyu naprugi na emiternomu perehodi tranzistora VT4 pidsumovanim z padinnyam naprugi Usi na tranzistori VT1 U zv yazku z tim sho padinnya naprugi na r n perehodi zmenshuyetsya zi zbilshennyam temperaturi padinnya naprugi na vidkritomu IGBT tranzistori v pevnomu diapazoni strumiv maye negativnij temperaturnij koeficiyent yakij staye pozitivnim pri velikomu strumi Pri zbilshenni naprugi prikladenogo do tranzistora IGBT zbilshuyetsya strum kanalu yakij viznachaye strum bazi tranzistora VT4 pri comu padinnya naprugi na IGBT tranzistori zmenshuyetsya nbsp Ris 6 Shema zamishennya ta vihidni harakteristiki IGBT Pri zamikanni tranzistora VT1 strum tranzistora VT4 staye malim sho dozvolyaye vvazhati jogo zamknenim Dodatkovi shari vvedeni dlya viklyuchennya rezhimiv roboti harakternih dlya tiristoriv koli vidbuvayetsya lavinnij probij Bufernij shar n i shiroka bazova oblast n zabezpechuyut zmenshennya koeficiyenta posilennya za strumom p n p tranzistora Zagalna kartina vvimknennya ta vimikannya tranzistora dosit skladna tak yak vidbuvayetsya zmina ruhlivosti nosiyiv zaryadu koeficiyentiv peredachi strumu tranzistoriv zmini oporiv oblastej ta in Hocha v principi IGBT tranzistori mozhut buti vikoristani dlya roboti v linijnomu rezhimi ale v osnovnomu yih zastosovuyut v klyuchovomu rezhimi nbsp Ris 7 Zmina padinnya naprugi Uke i strumu Ic IGBT tranzistoraDoslidzhennya pokazali sho dlya bilshosti tranzistoriv tipu IGBT chas vvimknennya i vimknennya ne perevishuye 0 5 1 0 mks Dlya zmenshennya kilkosti dodatkovih zovnishnih komponentiv do skladu IGBT tranzistoriv vvodyat diodi abo vipuskayut moduli sho skladayutsya z dekilkoh komponentiv nbsp Ris 8 Umovni poznachennya moduliv na IGBT tranzistorah a MTKID b MTKI v M2TKI g MDTKIVidpovidno do risunku 8 umovni poznachennya moduliv na IGBT tranzistorah vklyuchayut bukvu M modul bezpotencijnij osnova izolovana 2 kilkist klyuchiv literi TKI bipolyarnij iz izolovanim zatvorom DTKI diod bipolyarnij tranzistor iz izolovanim zatvorom TKID bipolyarnij tranzistor z izolovanim zatvorom diod cifri 25 35 50 75 80 110 150 maksimalnij strum cifri 1 2 5 6 10 12 maksimalna napruga mizh kolektorom i emiterom Uke 100V Napriklad modul MTKID 75 17 maye Uke 1700 V I 2 75A Uke otk 3 5 V Pk max 625 Vt Rozrahunok IGBT tranzistora RedaguvatiVibir tranzistora provoditsya za nastupnimi umovami napriklad dlya peretvoryuvachiv naprugi z rezonansnim konturom Tranzistor povinen peremikatisya pri znachenni nulovogo strumu Forma strumu sinusoyidi shodo silovih klyuchiv povinna buti analogichna do vlasnoyi chastoti konturu i stanovit 100 kGc Amplituda strumu povinna vidpovidati serednij potuzhnosti napriklad 40 A do potuzhnist 2000 Vt Viznachennya maksimalnogo znachennya naprugi i maksimalnoyi chastoti peremikannya tranzistoriv za umovi sho plechi tranzistoriv povinni pracyuvati v protifazi Dlya pidboru drajvera IGBT tranzistora keruyutsya parametrami keruvannya zatvora neobhidnogo dlya procesu komutaciyi vidmikannya i zamikannya silovogo napivprovidnika Dlya viznachennya potuzhnosti upravlinnya Pdrv potribno znati velichinu zaryadu zatvora Qgate chastotu komutaciyi Fin i realnij zamiryanij rozmah naprugi na vihodi drajvera DVgate P d r v Q g a t e F i n D U g a t e displaystyle Pdrv Qgate Fin Delta Ugate nbsp Formula zaryadu zatvoru Q g a t e I o u t d t displaystyle Qgate int Iout dt nbsp de chas integruvannya povinnij ne perevishuvati chas upravlinnya vihidnih naprug drajvera do yih ostatochnih pokaznikiv Vibir maksimalnoyi velichini strumu keruvannya zatvorom viznachayetsya za sproshenoyu formuloyu I o u t o r d e r U g a t e R g a t e m i n displaystyle Iout order Ugate Rgate min nbsp Zastosuvannya RedaguvatiOsnovne zastosuvannya BTIZ ce invertori impulsni regulyatori strumu chastotno regulovani privodi Shiroke zastosuvannya BTIZ znajshli v dzherelah zvaryuvalnogo strumu v upravlinni silovim elektroprivodom v tomu chisli na miskomu elektrichnomu transporti Zastosuvannya BTIZ moduliv v sistemah upravlinnya tyagovimi dvigunami dozvolyaye u porivnyanni z tiristornimi pristroyami zabezpechiti visokij KKD visoku plavnist hodu mashini i mozhlivist zastosuvannya rekuperativnogo galmuvannya praktichno na bud yakij shvidkosti BTIZ zastosovuyut pri roboti z visokimi naprugami bilshe 1000 V visokoyu temperaturoyu ponad 100 C i visokoyu vihidnoyu potuzhnistyu bilsh 5 kVt BTIZ vikoristovuyutsya v shemah keruvannya dvigunami pri robochij chastoti menshe 20 kGc dzherelah bezperebijnogo zhivlennya z postijnim navantazhennyam i nizkoyu chastotoyu i zvaryuvalnih aparatah de potriben velikij strum i nizka chastota do 50 kGc BTIZ i MON zajmayut diapazon serednih potuzhnostej i chastot chastkovo perekrivayuchi odin odnogo U zagalnomu vipadku dlya visokochastotnih nizkovoltnih kaskadiv najbilsh pidhodyat MON a dlya visokovoltnih potuzhnih BTIZ U deyakih vipadkah BTIZ i MON povnistyu vzayemozaminni cokolovka priladiv i harakteristiki keruyuchih signaliv oboh pristroyiv zazvichaj odnakovi BTIZ i MON vimagayut 12 15 V dlya povnogo vklyuchennya i ne potrebuyut negativnoyi naprugi dlya viklyuchennya Ale kerovanij naprugoyu ne oznachaye sho shemi keruvannya ne potribno dzherelo strumu Zatvor BTIZ abo MON dlya keruyuchoyi shemi ye kondensatorom z velichinoyu yemnosti sho dosyagaye tisyach pikofarad dlya potuzhnih pristroyiv Drajver zatvora povinen buti zdatnim shvidko zaryadzhati i rozryadzhati cyu yemnist shob garantuvati shvidke peremikannya tranzistora Posilannya RedaguvatiSilovi bipolyarni tranzistori z izolovanim zatvorom IGBT Arhivovano 19 listopada 2010 u Wayback Machine K D Rogachyov ros IGBT chi MOSFET Optimalnij vibir Arhivovano 11 travnya 2013 u Wayback Machine E Duplyakin Elektronnye komponenty 2000 1 ros Vstanovlennya modulya IGBT na tramvaj Tatra KT4 107 naukovimi spivrobitnikami Tallinnskogo tehnichnogo univeru Arhivovano 13 veresnya 2007 u Wayback Machine est Tehnichni dani IGBT modulyu dlya tramvayu Tatra KT4 Arhivovano 13 veresnya 2007 u Wayback Machine est Tranzistor IGBT princip raboty struktura osnovnye harakteristiki Arhivovano 11 sichnya 2018 u Wayback Machine Tranzistor IGBT Arhivovano 11 sichnya 2018 u Wayback Machine Div takozh RedaguvatiVikishovishe maye multimedijni dani za temoyu IGBTTyagovij peretvoryuvach Bipolyarnij tranzistor Elektrotransport Roz yednuvach Chastotno regulovanij privid nbsp Ce nezavershena stattya pro elektroniku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Otrimano z https uk wikipedia org w index php title IGBT amp oldid 40262177