Напівпровідникові прилади (англ. Semiconductor devices) — електронні компоненти, що виготовляються з напівпровідникових матеріалів (таких як кремній, германій, галій та інші) і використовують їх електронні властивості.
Напівпровідникові прилади виготовляються як у вигляді одиничних дискретних пристроїв, так і у вигляді інтегральних схем, котрі можуть вміщувати мільярди напівпровідникових приладів, розміщених на одній підкладці.
Вступ Редагувати
Провідність напівпровідника лежить у межах між провідниками та ізоляторами. Напівпровідникові прилади поступово замінили електровакуумні лампи в більшості застосувань. Вони проводять електричний струм у твердому стані, а не подібно вільним електронам крізь вакуум (зазвичай вивільненим термоелектронною емісією) або як вільні електрони та іони крізь іонізований газ.
Напівпровідникові матеріали корисні, оскільки їхню поведінку можна легко змінювати шляхом навмисного додавання домішок (легування). Провідністю напівпровідника можна керувати за допомогою введення електричного або магнітного поля, впливу світла чи тепла або механічної деформації легованої монокристалічної кремнієвої сітки; отже, напівпровідники можуть бути чудовими давачами. Проведення струму в напівпровіднику відбувається завдяки рухомим або «вільним» електронам та електронним діркам, відомим разом як носії заряду. Легування напівпровідника невеликою часткою атомних домішок, таких як фосфор чи бор, значно збільшує кількість вільних електронів або дірок у напівпровіднику. Якщо легований напівпровідник містить надлишкові дірки, його називають напівпровідником p-типу (p означає позитивний електричний заряд); коли він містить надлишок вільних електронів, його називають напівпровідником n-типу (n означає негативний електричний заряд). Більшість рухомих носіїв заряду мають негативний заряд. Під час виробництва напівпровідників, точно дотримуються розташування та концентрації легувальних домішок p- та n-типу. З’єднання напівпровідників n- і p-типу утворюють p–n-переходи.
Найпоширенішим напівпровідниковим пристроєм у світі, є ПТМОН-транзистор (польовий транзистор метал-оксид-напівпровідник), який також називають просто МОН-транзистором. Станом на 2013 рік щодня виготовляються мільярди МОН-транзисторів. Щорічне виробництво напівпровідникових пристроїв зростає в середньому на 9,1% з 1978 року, і передбачалося, що 2018 року їх постачання вперше перевищить 1 трильйон.
Перелік основних напівпровідникових приладів Редагувати
Цей перелік не є повним. Ти можеш допомогти розширити його.
Двовивідні елементи Редагувати
- Діак (англ. DIAC)
- Діод
- Діод Ганна (англ. TED)
- Лавинно-пролітний діод (англ. IMPATT diode)
- Лазерний діод
- Термістор
- Світлодіод (англ. LED — light-emitting diode)
- PIN-діод
- Діод Шотткі
- Супрессор[en] (англ. TVS diode)
- Тунельний діод
- Діод Зенера
- Фотодетектор
- Фототранзистор
- Фоторезистор
- Фототиристор
- Фотоелектрична комірка
Трививідні елементи Редагувати
- Біполярний транзистор Фотодетектор
- Фототранзистор
- Транзистор Дарлінгтона (англ. IC)
- Польовий транзистор (англ. FET)
- Біполярний транзистор із ізольованим затвором (англ. IGBT)
- Тиристор (англ. IC)
- Тріак (англ. TRIAC)
- Одноперехідний транзистор (англ. UJT)
Елементи, які мають 4 і більше виводів Редагувати
Напівпровідникові матеріали Редагувати
- На сьогоднішній день кремній (Si) є найбільш широко використовуваним матеріалом у напівпровідникових пристроях. Його переваги: низька вартість сировини, відносно проста обробка та широкий розбіг температур, роблять його найкращим вибором серед різних конкурентних матеріалів. Кремній, що застосовується у виробництві напівпровідникових пристроїв, в даний час виготовляється з булі, які мають досить великий діаметр, щоби можна було виготовити пластини 300 мм (12 дюймів).
- Германій (Ge) був широко застосовуваним раннім напівпровідниковим матеріалом, проте його теплова чутливість робить його менш корисним, ніж кремній. Сьогодні (2000-і) германій часто легують кремнієм для використання у високошвидкісних пристроях SiGe. IBM є основним виробником таких виробів.
- Арсенід галію (GaAs) також широко застосовується у високошвидкісних пристроях, але до цих пір складно було утворити кульки великого діаметру з цього матеріалу, обмеживши діаметр розмірами, значно меншими, ніж кремнієві пластини, завдяки чому масове виробництво пристроїв GaAs значно дорожче кремнію.
- Інші менш поширені матеріали також знаходяться у використанні або досліджуються. Карбід кремнію (SiC) знайшов деяке застосування в якості сировини для синіх світлодіодів (LED) і досліджується для використання в напівпровідникових пристроях, які могли б витримати дуже високі робочі температури та навколишнє середовище зі значним рівнем іонізуючого випромінювання. Діоди IMPATT також виготовлені з SiC. Різні сполуки індію (арсенід індію, антимонід індію[en] та фосфід індію) також застосовуються в світлодіодах та твердотілових лазерних діодах. Сульфід селену вивчається стосовно виробництва фотоелектричних сонячних батарей. Найбільш поширене використання для органічних напівпровідників — це органічні світлодіоди.
Див. також Редагувати
Джерела Редагувати
- Golio, Mike, ред. (3 жовтня 2018). RF and Microwave Passive and Active Technologies. doi:10.1201/9781315221854. Процитовано 12 жовтня 2022.
- Who Invented the Transistor?. CHM (англ.). 4 грудня 2013. Процитовано 12 жовтня 2022.
- Shibib, Ayman; Lorenz, Leo; Ohashi, Hiromichi (2018-05). ISPSD: 30 Year journey in advancing power semiconductor technology. 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) (IEEE). doi:10.1109/ispsd.2018.8393589. Процитовано 12 жовтня 2022.
- www.icinsights.com https://www.icinsights.com/news/bulletins/Semiconductor-Shipments-Forecast-To-Exceed-1-Trillion-Devices-In-2018/ Пропущений або порожній
|title=(довідка). Процитовано 12 жовтня 2022.
| Ця стаття не містить посилань на джерела. (February 2016) |
| Це незавершена стаття про електроніку. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |