www.wikidata.uk-ua.nina.az

Мікроелектроніка Мікроелектро ніка галузь сучасної промисловості виробництво кремнієвих кристалів інтегральних мікросхем

Мікроелектроніка

Мікроелектро́ніка — галузь сучасної промисловості, виробництво кремнієвих кристалів інтегральних мікросхем. Мікроелектроніка — це непорушний фундамент не тільки всієї сучасної індустрії інформаційних і комп'ютерних технологій, але і дуже багатьох суміжних галузей — побутової електроніки, індустрії розваг (включаючи музику і відео), медицини, військової і автомобільної промисловості тощо.

Кремнієві пластини з готовими мікросхемами перед розрізанням на окремі кристали

Мікросхемотехніка і топологія Редагувати

Слід розрізняти два основні напрями розвитку індустрії виробництва мікросхем. Перше — розробка архітектури, що включає вибір тих або інших функцій і особливостей майбутніх схем, мікросхемотехніку і компоновку на кристалі функціональних блоків і їхніх елементів, які втілюють вибрані функції. А також — оптимізація готових блоків з метою усунення вузьких місць, підвищення продуктивності і надійності роботи майбутніх схем, спрощення і здешевлення їхнього масового виробництва. Ці роботи можна умовно назвати «паперовими» — вони виконуються «на кінчику пера» і існують лише у вигляді комп'ютерних файлів і креслень проектів майбутніх мікросхем, що зовсім не виключає багатократного комп'ютерного моделювання фізичної роботи як окремих блоків, так і мікросхеми в цілому. Для цього використовуються спеціальні, ретельно узгоджені з реальними приладами фізичні моделі транзисторів і інших функціональних елементів. І чим ретельніше змодельована робота проекту, тим швидше і з меншими помилками буде виготовлена сама мікросхема (мається на увазі її фінальний, масовий варіант). Адже відладка, пошук і виправлення помилок проектування у вже готовому кристалі, як правило, значно складніший і дорожчий, ніж моделювання на комп'ютері.

Напівпровідникові технології Редагувати

Другий основоположний напрям — це власне напівпровідникові технології виробництва мікросхем. Сюди входять наукова розробка і втілення в «кремнії» все швидших і менших транзисторів, схем зв'язку між ними і іншим «обрамленням» мікроструктур на кристалі, створення технологій виготовлення малюнку ліній і транзисторів на поверхні кремнію, нових матеріалів і устаткування для цього, а також «manufacturability» — область знань про те, як виробляти мікросхеми вищої якості, швидші, з більшою кількістю придатних кристалів на пластині, меншим числом дефектів і розкидом робочих параметрів.

Більшість компонентів звичайної електроніки, так само застосовуються і в мікроелектроніці: резистори, конденсатори, котушки індуктивності, діоди, транзистори, ізолятори і провідники, але вже у вигляді мініатюрних пристроїв в інтегральному виконанні. Цифрові інтегральні мікросхеми в основному складаються з транзисторів. Аналогові схеми в основному містять резистори і конденсатори. Котушки індуктивності використовуються в схемах, що працюють на високих частотах.

З розвитком техніки, розміри компонентів постійно зменшуються. При дуже великому ступені інтеграції компонентів, а отже і при максимальній мінімізації їхніх розмірів, питання міжелементної взаємодії стає дуже актуальним. Дана проблема носить назву паразитні явища. Одне з основних завдань проектувальника — це компенсувати або мінімізувати ефект паразитних витоків.

Старт промислової мікроелектроніки Редагувати

У 1962 році уряд колишнього Радянського Союзу прийняв постанову про розвиток мікроелектронної промисловості та створення у Зеленограді під Москвою Наукового центру мікроелектроніки з філіями у Києві, Мінську, Ризі, Вільнюсі, Тбілісі й ряді інших міст. Уже через декілька років невелике містечко під Москвою перетворилося у столицю мікроелектроніки — радянську «кремнієву долину», на зразок створеної у США. Зеленоград було відбудовано практично заново.

Не була залишена без уваги й Україна. З ініціативи і за допомогою Олександра Івановича Шокіна (голова Державного комітету СРСР з електронної техніки, згодом — міністр електронної промисловості) в Києві на початку 1962 р. відкрилася виставка засобів мікроелектроніки, які випускалися підприємствами Комітету. На неї були запрошені керівники київських приладобудівних підприємств. У аргументованому виступі на відкритті виставки О.I.Шокін переконливо показав переваги мікроелектроніки і необхідність її розвитку в Україні.

Першим на заклик голови Держкомітету відізвався Іван Васильович Кудрявцев, директор Київського НДІ радіоелектроніки, що давно мріяв перевести громіздкі корабельні радіоелектронні системи на нову технічну базу. Відразу після виставки він доручив групі молодих інженерів на чолі з Станіславом Олексійовичем Моральовим ознайомитися із станом справ в СРСР і за кордоном і підготувати пропозиції щодо розвитку мікроелектроніки в інституті.

Півроку потому, коли з'явилася урядова постанова про розвиток мікроелектронної промисловості, було створене Київське конструкторське бюро з мікроелектроніки КБ-3 Державного комітету РМ СРСР з електронної техніки. Його керівником призначили С. О. Моральова. За згодою I.В.Кудрявцева в нову організацію перейшли ряд співробітників КНДІРЕ — В. Д. Борисенко, В.I.Кибальчич, Г. П. Апреленко та ін. Спеціалізація КБ-3 — мікромініатюризація радіолокаційної апаратури, відповідала інтересам I.В.Кудрявцева і тому спочатку нова організація розміщалася в КНДІРЕ.

Колектив КБ-3 до кінця 1963 р. приступив до роботи в новому приміщенні. Його «фундатори» — Моральов, Борисенко, Корнєв, Белевський та ін. розпочали розробку гібридних інтегральних схем (ІС) із використанням тонких плівок тантала.

Цей матеріал мав високу стабільність своїх фізичних властивостей, радіаційну стійкість, унікальні технологічні властивості, що дозволяли одержати в єдиному технологічному процесі тонкоплівочні резистори, конденсатори, діелектричні прошарки для пасивної частини гібридної ІС. Це спрощувало технологічний цикл і підвищувало якість схем.

Проте, тантал виявився «міцним горішком» — для одержання плівок потрібно було створити принципово нові типи електронно-променевих гармат великої потужності, складне вакуумне устаткування, установки контролю параметрів схем. Все це зайняло достатньо багато часу і серійний випуск ІС на танталі почався лише в 1968 р., коли уже два роки існував НДІ «Мікроприлад», створений на базі КБ-3. (НДІ «Мікроприлад» Міністерства електронної промисловості СРСР був організований у 1966 році).

Згідно з технічними завданнями, узгодженими з генеральними конструкторами бортової апаратури для літаків, космічної бортової техніки (Сергєєв, «Хартрон», Харків) був розроблений ряд гібридних тонкоплівочних ІС на танталі (система «Пенал»), а для побутової радіоелектронної апаратури, що випускалася Міністерством радіопромисловості СРСР — система «Кулон».

Розроблені гібридні ІС і апаратура на їхній основі успішно пройшли випробування і показали високі техніко-економічні характеристики. Використання ІС «Пенал» у бортовій навігаційній апаратурі дозволило зменшити її вагу в 2,5 рази, об'єм у 3 рази, збільшити надійність у декілька разів. Застосування ІС «Кулон» у радіоприймачі «Меридіан» Київського ВО ім. С. П. Корольова зменшило його габарити, збільшило термін служби, знизило трудомісткість складальних операцій і собівартість виробу. «Меридіан» став першим радіоприймачем на інтегральних схемах, який було випущено заводами України.

За пропозицією Олега Костянтиновича Антонова — головного конструктора Київського авіазаводу — були проведені спільні роботи з визначення оптимальних шляхів мікромініатюризації бортової літакової апаратури для керування польотом. Познайомившись у ці роки з Олегом Костянтиновичем С. О. Моральов зберіг дружбу з видатним конструктором і вченим на багато років і багато разів обговорював із ним перспективи розвитку мікроелектроніки стосовно задач літакобудування.

У короткі терміни сімейства гібридних ІС «Пенал» i «Кулон» одержали широке впровадження в радіоелектронній апаратурі. Їх серійне виробництво було організовано на дослідному заводі інституту і його філії в м. Свєтловодську. Технологія виготовлення гібридних ІС на танталі була передана на підприємства Ленінграда, Харкова, Москви та ін., ліцензія на неї була продана в Угорську Народну республіку.

Великий внесок в організацію серійного виробництва ІС зробив Олександр Іванович Корнєв — головний інженер дослідного заводу «Мікроприлад», вихованець Київського державного університету, де він працював у лабораторії відомого українського фізика Находкіна Миколи Григоровича.

Розроблена вперше в колишньому СРСР технологія виробництва тонкоплівочних резисторних і ємнісних мікросхем на основі тантала дозволила підвищити продуктивність при виготовленні гібридних ІС у 5-10 разів і збільшити відсоток виходу придатних ІС до 90 %. Про складність вирішеної в КБ-3 — НДІ «Мікроприлад» задачі свідчить той факт, що на той час таку технологію мали лише три фірми у світі, причому тільки одна з них (BM Laboratories, США) розробила її самостійно.

З ініціативи Моральова, директора НДІ «Мікроприлад» i його заступника з науки Костянтина Михайловича Кролевца було прийняте рішення про поступовий перехід до розробки твердотільних ІС на МОН транзисторах.

Основною особливістю цих схем є те, що всі їхні компоненти (транзистори, діоди, резистори і конденсатори) виконуються на одній монокристалічній пластинці напівпровідника (скорочено МОН (рос. МОП) відображує структурний склад транзистора — метал, окисел, напівпровідник (рос. полупроводник)).

Пропозиції НДІ «Мікроприлад» по спеціалізації в галузі МОП-інтегральних схем були розглянуті на засіданні колегії Зеленоградського Наукового центру. Колегія затвердила запропонований С. О. Моральовим план робіт інституту.

Наступив новий етап у роботі «Мікроприладу». Фізико-технологічні питання розробки МОП-ІС очолили Кролевець та Петін, схемотехніки — Молчанов та Кобилінський, машинне проектування топології — Таборний. Наукове керівництво роботами здійснювали Моральов та Кролевець.

Спочатку була розроблена серія інтегральних схем «Кобра» із рівнем інтеграції до 30 елементів на кристалі. У 1968 р. було розпочато її серійне виробництво на дослідному заводі НДІ. Вона широко застосувалась у виробах цифрової техніки Мінприладу.

За завданням Міністерства електронної промисловості в 1970 р. було створено перший у колишньому СРСР і Європі мікрокалькулятор на 4-х великих інтегральних схемах МОП-ВІС із ступенем інтеграції до 500 транзисторів на кристалі. Великі інтегральні схеми (ВІС) виготовлялися на дослідному заводі НДІ «Мікроприлад». Виготовлення мікрокалькуляторів проводилося в м. Свєтловодську, де знаходилася філія дослідного заводу.

Примітки Редагувати

  1. Опубликовано в журнале «Компьютерра» № 37 от 06 октября 2004 года [1][недоступне посилання з липня 2019]
  2. [2] [ 2 січня 2013 у Wayback Machine.] Історія розвитку інформаційних технологій в Україні

Див. також Редагувати

Література Редагувати


Це незавершена стаття про електроніку.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.
Вікіпедія, Українська, Україна, книга, книги, бібліотека, стаття, читати, завантажити, безкоштовно, безкоштовно завантажити, mp3, відео, mp4, 3gp, jpg, jpeg, gif, png, малюнок, музика, пісня, фільм, книга, гра, ігри
Дата публікації:
Mikroelektro nika galuz suchasnoyi promislovosti virobnictvo kremniyevih kristaliv integralnih mikroshem Mikroelektronika ce neporushnij fundament ne tilki vsiyeyi suchasnoyi industriyi informacijnih i komp yuternih tehnologij ale i duzhe bagatoh sumizhnih galuzej pobutovoyi elektroniki industriyi rozvag vklyuchayuchi muziku i video medicini vijskovoyi i avtomobilnoyi promislovosti tosho Kremniyevi plastini z gotovimi mikroshemami pered rozrizannyam na okremi kristali Zmist 1 Mikroshemotehnika i topologiya 2 Napivprovidnikovi tehnologiyi 3 Start promislovoyi mikroelektroniki 2 4 Primitki 5 Div takozh 6 LiteraturaMikroshemotehnika i topologiya RedaguvatiSlid rozriznyati dva osnovni napryami rozvitku industriyi virobnictva mikroshem Pershe rozrobka arhitekturi sho vklyuchaye vibir tih abo inshih funkcij i osoblivostej majbutnih shem mikroshemotehniku i komponovku na kristali funkcionalnih blokiv i yihnih elementiv yaki vtilyuyut vibrani funkciyi A takozh optimizaciya gotovih blokiv z metoyu usunennya vuzkih misc pidvishennya produktivnosti i nadijnosti roboti majbutnih shem sproshennya i zdeshevlennya yihnogo masovogo virobnictva Ci roboti mozhna umovno nazvati paperovimi voni vikonuyutsya na kinchiku pera i isnuyut lishe u viglyadi komp yuternih fajliv i kreslen proektiv majbutnih mikroshem sho zovsim ne viklyuchaye bagatokratnogo komp yuternogo modelyuvannya fizichnoyi roboti yak okremih blokiv tak i mikroshemi v cilomu Dlya cogo vikoristovuyutsya specialni retelno uzgodzheni z realnimi priladami fizichni modeli tranzistoriv i inshih funkcionalnih elementiv I chim retelnishe zmodelovana robota proektu tim shvidshe i z menshimi pomilkami bude vigotovlena sama mikroshema mayetsya na uvazi yiyi finalnij masovij variant Adzhe vidladka poshuk i vipravlennya pomilok proektuvannya u vzhe gotovomu kristali yak pravilo znachno skladnishij i dorozhchij nizh modelyuvannya na komp yuteri Napivprovidnikovi tehnologiyi RedaguvatiDrugij osnovopolozhnij napryam ce vlasne napivprovidnikovi tehnologiyi virobnictva mikroshem Syudi vhodyat naukova rozrobka i vtilennya v kremniyi vse shvidshih i menshih tranzistoriv shem zv yazku mizh nimi i inshim obramlennyam mikrostruktur na kristali stvorennya tehnologij vigotovlennya malyunku linij i tranzistoriv na poverhni kremniyu novih materialiv i ustatkuvannya dlya cogo a takozh manufacturability oblast znan pro te yak viroblyati mikroshemi vishoyi yakosti shvidshi z bilshoyu kilkistyu pridatnih kristaliv na plastini menshim chislom defektiv i rozkidom robochih parametriv Bilshist komponentiv zvichajnoyi elektroniki tak samo zastosovuyutsya i v mikroelektronici rezistori kondensatori kotushki induktivnosti diodi tranzistori izolyatori i providniki ale vzhe u viglyadi miniatyurnih pristroyiv v integralnomu vikonanni Cifrovi integralni mikroshemi v osnovnomu skladayutsya z tranzistoriv Analogovi shemi v osnovnomu mistyat rezistori i kondensatori Kotushki induktivnosti vikoristovuyutsya v shemah sho pracyuyut na visokih chastotah Z rozvitkom tehniki rozmiri komponentiv postijno zmenshuyutsya Pri duzhe velikomu stupeni integraciyi komponentiv a otzhe i pri maksimalnij minimizaciyi yihnih rozmiriv pitannya mizhelementnoyi vzayemodiyi staye duzhe aktualnim Dana problema nosit nazvu parazitni yavisha Odne z osnovnih zavdan proektuvalnika ce kompensuvati abo minimizuvati efekt parazitnih vitokiv 1 Start promislovoyi mikroelektroniki 2 RedaguvatiU 1962 roci uryad kolishnogo Radyanskogo Soyuzu prijnyav postanovu pro rozvitok mikroelektronnoyi promislovosti ta stvorennya u Zelenogradi pid Moskvoyu Naukovogo centru mikroelektroniki z filiyami u Kiyevi Minsku Rizi Vilnyusi Tbilisi j ryadi inshih mist Uzhe cherez dekilka rokiv nevelike mistechko pid Moskvoyu peretvorilosya u stolicyu mikroelektroniki radyansku kremniyevu dolinu na zrazok stvorenoyi u SShA Zelenograd bulo vidbudovano praktichno zanovo Ne bula zalishena bez uvagi j Ukrayina Z iniciativi i za dopomogoyu Oleksandra Ivanovicha Shokina golova Derzhavnogo komitetu SRSR z elektronnoyi tehniki zgodom ministr elektronnoyi promislovosti v Kiyevi na pochatku 1962 r vidkrilasya vistavka zasobiv mikroelektroniki yaki vipuskalisya pidpriyemstvami Komitetu Na neyi buli zaprosheni kerivniki kiyivskih priladobudivnih pidpriyemstv U argumentovanomu vistupi na vidkritti vistavki O I Shokin perekonlivo pokazav perevagi mikroelektroniki i neobhidnist yiyi rozvitku v Ukrayini Pershim na zaklik golovi Derzhkomitetu vidizvavsya Ivan Vasilovich Kudryavcev direktor Kiyivskogo NDI radioelektroniki sho davno mriyav perevesti gromizdki korabelni radioelektronni sistemi na novu tehnichnu bazu Vidrazu pislya vistavki vin doruchiv grupi molodih inzheneriv na choli z Stanislavom Oleksijovichem Moralovim oznajomitisya iz stanom sprav v SRSR i za kordonom i pidgotuvati propoziciyi shodo rozvitku mikroelektroniki v instituti Pivroku potomu koli z yavilasya uryadova postanova pro rozvitok mikroelektronnoyi promislovosti bulo stvorene Kiyivske konstruktorske byuro z mikroelektroniki KB 3 Derzhavnogo komitetu RM SRSR z elektronnoyi tehniki Jogo kerivnikom priznachili S O Moralova Za zgodoyu I V Kudryavceva v novu organizaciyu perejshli ryad spivrobitnikiv KNDIRE V D Borisenko V I Kibalchich G P Aprelenko ta in Specializaciya KB 3 mikrominiatyurizaciya radiolokacijnoyi aparaturi vidpovidala interesam I V Kudryavceva i tomu spochatku nova organizaciya rozmishalasya v KNDIRE Kolektiv KB 3 do kincya 1963 r pristupiv do roboti v novomu primishenni Jogo fundatori Moralov Borisenko Kornyev Belevskij ta in rozpochali rozrobku gibridnih integralnih shem IS iz vikoristannyam tonkih plivok tantala Cej material mav visoku stabilnist svoyih fizichnih vlastivostej radiacijnu stijkist unikalni tehnologichni vlastivosti sho dozvolyali oderzhati v yedinomu tehnologichnomu procesi tonkoplivochni rezistori kondensatori dielektrichni prosharki dlya pasivnoyi chastini gibridnoyi IS Ce sproshuvalo tehnologichnij cikl i pidvishuvalo yakist shem Prote tantal viyavivsya micnim gorishkom dlya oderzhannya plivok potribno bulo stvoriti principovo novi tipi elektronno promenevih garmat velikoyi potuzhnosti skladne vakuumne ustatkuvannya ustanovki kontrolyu parametriv shem Vse ce zajnyalo dostatno bagato chasu i serijnij vipusk IS na tantali pochavsya lishe v 1968 r koli uzhe dva roki isnuvav NDI Mikroprilad stvorenij na bazi KB 3 NDI Mikroprilad Ministerstva elektronnoyi promislovosti SRSR buv organizovanij u 1966 roci Zgidno z tehnichnimi zavdannyami uzgodzhenimi z generalnimi konstruktorami bortovoyi aparaturi dlya litakiv kosmichnoyi bortovoyi tehniki Sergyeyev Hartron Harkiv buv rozroblenij ryad gibridnih tonkoplivochnih IS na tantali sistema Penal a dlya pobutovoyi radioelektronnoyi aparaturi sho vipuskalasya Ministerstvom radiopromislovosti SRSR sistema Kulon Rozrobleni gibridni IS i aparatura na yihnij osnovi uspishno projshli viprobuvannya i pokazali visoki tehniko ekonomichni harakteristiki Vikoristannya IS Penal u bortovij navigacijnij aparaturi dozvolilo zmenshiti yiyi vagu v 2 5 razi ob yem u 3 razi zbilshiti nadijnist u dekilka raziv Zastosuvannya IS Kulon u radioprijmachi Meridian Kiyivskogo VO im S P Korolova zmenshilo jogo gabariti zbilshilo termin sluzhbi znizilo trudomistkist skladalnih operacij i sobivartist virobu Meridian stav pershim radioprijmachem na integralnih shemah yakij bulo vipusheno zavodami Ukrayini Za propoziciyeyu Olega Kostyantinovicha Antonova golovnogo konstruktora Kiyivskogo aviazavodu buli provedeni spilni roboti z viznachennya optimalnih shlyahiv mikrominiatyurizaciyi bortovoyi litakovoyi aparaturi dlya keruvannya polotom Poznajomivshis u ci roki z Olegom Kostyantinovichem S O Moralov zberig druzhbu z vidatnim konstruktorom i vchenim na bagato rokiv i bagato raziv obgovoryuvav iz nim perspektivi rozvitku mikroelektroniki stosovno zadach litakobuduvannya U korotki termini simejstva gibridnih IS Penal i Kulon oderzhali shiroke vprovadzhennya v radioelektronnij aparaturi Yih serijne virobnictvo bulo organizovano na doslidnomu zavodi institutu i jogo filiyi v m Svyetlovodsku Tehnologiya vigotovlennya gibridnih IS na tantali bula peredana na pidpriyemstva Leningrada Harkova Moskvi ta in licenziya na neyi bula prodana v Ugorsku Narodnu respubliku Velikij vnesok v organizaciyu serijnogo virobnictva IS zrobiv Oleksandr Ivanovich Kornyev golovnij inzhener doslidnogo zavodu Mikroprilad vihovanec Kiyivskogo derzhavnogo universitetu de vin pracyuvav u laboratoriyi vidomogo ukrayinskogo fizika Nahodkina Mikoli Grigorovicha Rozroblena vpershe v kolishnomu SRSR tehnologiya virobnictva tonkoplivochnih rezistornih i yemnisnih mikroshem na osnovi tantala dozvolila pidvishiti produktivnist pri vigotovlenni gibridnih IS u 5 10 raziv i zbilshiti vidsotok vihodu pridatnih IS do 90 Pro skladnist virishenoyi v KB 3 NDI Mikroprilad zadachi svidchit toj fakt sho na toj chas taku tehnologiyu mali lishe tri firmi u sviti prichomu tilki odna z nih BM Laboratories SShA rozrobila yiyi samostijno Z iniciativi Moralova direktora NDI Mikroprilad i jogo zastupnika z nauki Kostyantina Mihajlovicha Krolevca bulo prijnyate rishennya pro postupovij perehid do rozrobki tverdotilnih IS na MON tranzistorah Osnovnoyu osoblivistyu cih shem ye te sho vsi yihni komponenti tranzistori diodi rezistori i kondensatori vikonuyutsya na odnij monokristalichnij plastinci napivprovidnika skorocheno MON ros MOP vidobrazhuye strukturnij sklad tranzistora metal okisel napivprovidnik ros poluprovodnik Propoziciyi NDI Mikroprilad po specializaciyi v galuzi MOP integralnih shem buli rozglyanuti na zasidanni kolegiyi Zelenogradskogo Naukovogo centru Kolegiya zatverdila zaproponovanij S O Moralovim plan robit institutu Nastupiv novij etap u roboti Mikropriladu Fiziko tehnologichni pitannya rozrobki MOP IS ocholili Krolevec ta Petin shemotehniki Molchanov ta Kobilinskij mashinne proektuvannya topologiyi Tabornij Naukove kerivnictvo robotami zdijsnyuvali Moralov ta Krolevec Spochatku bula rozroblena seriya integralnih shem Kobra iz rivnem integraciyi do 30 elementiv na kristali U 1968 r bulo rozpochato yiyi serijne virobnictvo na doslidnomu zavodi NDI Vona shiroko zastosuvalas u virobah cifrovoyi tehniki Minpriladu Za zavdannyam Ministerstva elektronnoyi promislovosti v 1970 r bulo stvoreno pershij u kolishnomu SRSR i Yevropi mikrokalkulyator na 4 h velikih integralnih shemah MOP VIS iz stupenem integraciyi do 500 tranzistoriv na kristali Veliki integralni shemi VIS vigotovlyalisya na doslidnomu zavodi NDI Mikroprilad Vigotovlennya mikrokalkulyatoriv provodilosya v m Svyetlovodsku de znahodilasya filiya doslidnogo zavodu Primitki Redaguvati Opublikovano v zhurnale Kompyuterra 37 ot 06 oktyabrya 2004 goda 1 nedostupne posilannya z lipnya 2019 2 Arhivovano 2 sichnya 2013 u Wayback Machine Istoriya rozvitku informacijnih tehnologij v UkrayiniDiv takozh RedaguvatiKonstruyuvannya mikroshem Fabless company Planarna tehnologiya Pidkladka elektronika Literatura RedaguvatiElektronika ta mikroprocesorna tehnika navch posib B I Karpinec Ivano Frankiv nac tehn un t nafti i gazu Ivano Frankivsk Vid vo IFNTUNG 2016 363 s il tabl portr Bibliogr s 363 9 nazv ISBN 978 966 694 270 1 Prishepa M M Pogrebnyak V P Mikroelektronika U 3 h chastinah Ch 1 Elementi mikroelektroniki Navch posib M M Prishepa K Visha shkola 2004 431 s ISBN 966 642 223 9 Prishepa M M Pogrebnyak V P Mikroelektronika U 3 h chastinah Ch 2 Elementi mikroshemotehniki Navch posib M M Prishepa K Visha shkola 2006 503 s ISBN 966 642 319 7 Prishepa M M Pogrebnyak V P Mikroelektronika U 3 h chastinah Elementi mikroshem Zbirnik zadach Navch posib M M Prishepa K Visha shkola 2005 167 s ISBN 966 642 278 6 Strategiya vybora 50 let Kievskomu NII mikropriborov 1962 2012 Tekst sb ocherkov Avgustimov V L i dr K Kornijchuk 2012 528 s ISBN 978 966 7599 76 8 nbsp Ce nezavershena stattya pro elektroniku Vi mozhete dopomogti proyektu vipravivshi abo dopisavshi yiyi Otrimano z https uk wikipedia org w index php title Mikroelektronika amp oldid 36381281