Молекулярно променева епітаксія МПЕ англ Molecular beam epitaxy MBE метод епітаксіального росту кристалів в умовах надви

Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10⁻⁸ Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит. 卓以和;).

Схема установки для молекулярно-променевої епітаксії

Метод Редагувати

Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну підкладку. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме:

підтримання в робочій камері надвисокого вакууму (порядку 10⁻⁸ Па);
високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%).

Посилання Редагувати

Cho, A. Y.; Arthur, J. R.; Jr (1975). Molecular beam epitaxy. Prog. Solid State Chem. 10: 157–192. doi:10.1016/0079-6786(75)90005-9.

Див. також Редагувати

Це незавершена стаття з фізики.
Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її.

[1] Cho, A. Y.; Arthur, J. R.; Jr (1975). Molecular beam epitaxy. Prog. Solid State Chem. 10: 157–192. doi:10.1016/0079-6786(75)90005-9.