Ефект Рашби

Ефе́кт Ра́шби — зняття виродження за спіном у твердих тілах (зокрема, гетероструктурах) завдяки сильній спін-орбітальній взаємодії. Названий на честь Еммануїла Рашби, співробітника АН УРСР, першовідкривача ефекту.

У напівпровідниках у наближенні майже вільних електронів гамільтоніан спін-орбітальної взаємодії обернено пропорційний не власній енергії електрона , а ширині забороненої зони . Оскільки співвідношення між і складає величину порядку 10⁶, спін-орбітальна взаємодія у твердих тілах проявляється суттєво сильніше. У гетероструктурах просторовий профіль зон і внутрішнє електричне поле асиметричні. Наслідком цього є розщеплення електронних станів для електронів зі спінами, які напрямлені вгору і вниз вздовж осі хвильових векторів, що й називають ефектом Рашби. Це корінним чином відрізняє зняття виродження за спіном у ефекті Рашби від зняття виродження зовнішнім магнітним полем, в якому підзони для електронів з протилежним напрямком спіна зміщуються вздовж осі енергії.

Спін-орбітальна взаємодія типу Рашби відіграє важливу роль у поясненні внутрішнього спінового ефекту Холла.

Література

• Junhao Chu, Arden Sher. Device Physics of Narrow Gap Semiconductors. — Springer, 2009. — P. 328—334. — ISBN 9781441910394.
• Heitmann, D. Quantum Materials, Lateral Semiconductor Nanostructures, Hybrid Systems and Nanocrystals. — Springer, 2010. — P. 307—309. — ISBN 9783642105524.

Посилання

• Ulrich Zuelicke (30 Nov – 1 Dec 2009). Rashba effect: Spin splitting of surface and interface states (англійською). Institute of Fundamental Sciences and MacDiarmid Institute for Advanced Materials and Nanotechnology Massey University, Palmerston North, New Zealand. Архів оригіналу за 16 травня 2012. Процитовано 2 вересня 2011.