А-центр — дефектний комплекс у кремнії, який скадається із вакансії та домішкового атому кисню.
Навіть в найчистішому кремнії кисень — основна домішка. В кристалі кремнію, вирощеному методом Чохральського, його концентрація зазвичай становить 1018 см−3. В кристалі кремнію, вирощеному методом зонної плавки концентрація кисню 1016 см−3. В основному кисень у кремнії займає міжвузлові положення, в яких атом кисню розриває ковалентний зв'язок між двома сусідніми атомами кремнію й прилаштовується посередині. А-центри — інший тип дефекту, в якому кисень займає місце відсутнього атома кремнію, тобто стає свого роду дефектом заміщення.
А-центр проявляється в інфрачервоних спектрах лінією з довжиною хвилі 12 мкм.
Джерела Редагувати
- Defects in Irradiated Silicon. I. Electron Spin Resonance of the Si-A Center
- Defects in Irradiated Silicon. II. Infrared Absorption of the Si-A Center
| Це незавершена стаття з кристалографії. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |