Рентгенівська літографія — технологія виготовлення електронних мікросхем; варіант фотолітографії, що використовує експонування (опромінення) резисту за допомогою рентгенівських променів.
Опис ред.
Рентгенівська літографія використовує м'яке рентгенівське випромінювання з довжиною хвилі 0,4-5,0 нм. Пучок рентгенівських променів пропускається через шаблон і експонує шар резиста. Оптичними елементами рентгенівських літографічних установок можуть бути дзеркала (рефлектори) на основі наногетероструктур з шарами Ni-C, Cr-C, Co-C, Mo-C, W-C і зонні пластинки, як шаблони використовуються тонкі (1 мкм і менше) металеві мембрани. Багатошарові рентгенівські дзеркала забезпечують бреггівське відображення за умови D = λ / (2sinΘ), де D — період структури і Θ — кут ковзання. При перпендикулярному падінні випромінювання Θ = 90 ° і період D = λ / 2, тому товщина кожного шару в рентгенівському дзеркалі дорівнює приблизно λ / 4 або 1 нм.
Рентгенолітографія, як і оптична літографія, здійснюється шляхом одночасного експонування великої кількості деталей малюнка, але короткохвильове рентгенівське випромінювання дозволяє створювати малюнок з більш тонкими деталями та вищою роздільною здатністю.
Завдяки малій довжині хвилі рентгенівського випромінювання методи рентгенолітографіі мають високу роздільну здатність (~ 10 нм). У порівнянні з електронно-променевою і іонно-променевою літографією в рентгенівській літографії малі радіаційні пошкодження формованих структур і висока продуктивність завдяки можливості одночасної обробки великих площ зразка. Рентгенівська літографія відрізняється великою глибиною різкості і малим впливом матеріалу підкладки і її топографії на роздільну здатність.
Див. також ред.
| Це незавершена стаття про електроніку. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |
| Ця стаття не містить посилань на джерела. (березень 2013) |