КТ315 — кремнієвий високочастотний біполярний транзистор малої потужності в корпусі КТ-13, отримав найбільше поширення у радянській радіоапаратурі.
| КТ315 А…И | |
|---|---|
| Структура | n-p-n |
| Uce | 15 — 60 В |
| Ube | 6 В |
| Ic | 50 — 100 мА |
| Ib | 50 мА |
| P | 100 мВт |
| Pmax | 150 мВт |
| Робочі температури | до 100 °C |
| fгр | 250 МГц |
| h21e | 20 — 350 |
Історія ред.
У 1966 році А. І. Шокін прочитав в журналі «Electronics» про розробку в США транзистора, який був технічно пристосований для масового виробництва — з використанням методу збирання на безперервній стрічці на магнітних накопичувальних барабанах. Розробкою транзистора і обладнанням для виробництва зайнявся НДІ «Пульсар», Фрязинський напівпровідниковий завод і його дослідно-конструкторське бюро. Вже у 1967 році було підготовлено виробництво для масового випуску транзисторів, а в 1968 році були випущені перші електронні пристрої на базі КТ315.
Першим масовим транзистором з кодовим маркуванням був КТ315 в мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. На ньому в лівому верхньому кутку плоскої сторони ставилася буква, що відповідала групі, у правому верхньому кутку міг бути логотип заводу-виробника, а нижче іноді вказувалася дата виробництва. Через декілька років в корпусі КТ-13 почали випускати транзистор p-n-p провідності КТ361. На відміну від КТ315 буква, що позначала групу, ставилася всередині верхньої частини плоскої частини корпусу, іноді в обрамленні двох дефісів зліва і справа.
Розробку КТ315 було відзначено у 1973 році Державною премією СРСР.
Застосування ред.
Транзистори здебільшого використовувалися у схемах підсилювачів високої, проміжної та низької частот.
Технологія ред.
Транзистори такого типу стали першими у СРСР, що були виготовлені за планарною технологією. Ця технологія передбачає, що всі структури транзистора утворюються з одного боку, вихідний матеріал має тип провідності, як у колектора, в ньому спочатку формується базова область, а потім у ній — емітерна. Ця технологія була освоєна радянською радіоелектронною промисловістю, як щабель до виготовлення інтегральних мікросхем без діелектричної підкладки. До появи КТ315 низькочастотні транзистори виготовлялися за «Сплавною» технологією, а високочастотні — за дифузійною.
Співвідношення параметрів, досягнуте в КТ315, було проривом на час його появи. Так, наприклад, він перевершував сучасний йому германієвий високочастотний транзистор ГТ308 за потужністю в 1,5 рази, за граничною частотою в 1,4 рази, за максимальним струмом колектора в 3 рази, і при цьому був дешевшим. Він міг замінити і низькочастотні МП37, при рівній потужності перевершуючи їх за коефіцієнтом передачі струму бази, максимальним імпульсним струмом і володіючи кращою температурною стабільністю. Кремній як матеріал дозволяв цьому транзистору десятки хвилин працювати на помірних струмах навіть при температурі плавлення припою — з погіршенням характеристик, але без виходу з ладу.
КТ361 ред.
КТ361 — біполярний транзистор p-n-p провідності. Комплементарний до КТ315, завдяки чому часто використовувався з ним в парі у безтрансформаторних двотактних схемах. Завдяки непоганим технічним характеристикам набув широкого поширення в радянській радіотехніці. Для відмінності від КТ315, літера, що позначає групу, ставилася посередині верхньої частини плоского боку, іноді в обрамленні двох дефісів зліва і справа.
Примітки ред.
- ↑ «КТ315 + КТ361» [ 13 листопада 2013 у Wayback Machine.] — сайт «Музей электронных раритетов» (рос.)
- . Архів оригіналу за 18 травня 2015. Процитовано 22 грудня 2014.(рос.)
Посилання ред.
- Довідкові дані і цоколівка [ 27 квітня 2014 у Wayback Machine.]
- Фотографії кристалу [ 12 грудня 2013 у Wayback Machine.]
- Електричні параметри [ 27 квітня 2014 у Wayback Machine.]
- Сайт «Музей электронных раритетов» [ 13 листопада 2013 у Wayback Machine.]